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SMBJP6KE13CA-TP

更新时间： 2024-02-15 19:23:41

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	404K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN

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SMBJP6KE13CA-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AA
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	1.49
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED	最大击穿电压：	13.7 V
最小击穿电压：	12.4 V	击穿电压标称值：	13 V
最大钳位电压：	18.2 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	BIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	11.1 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

SMBJP6KE13CA-TP 数据手册

SMBJP6KE6.8(C)A

THRU

SMBJP6KE550(C)A

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Transient

Voltage Suppressor

6.8 to 550 Volts

600 Watt

ꢀ For surface mount applicationsin in order to optimize board space

ꢀ Available in both unidirectional and bidirectional construction

and suffix"C" designates bidirectional type

ꢀ Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

ꢀ Fast response time: typical less than 1.0ps from 0 volts to

V_BRminimum

ꢀ Low inductance

ꢀ Excellent clamping capability

ꢀ UL Recognized File # E331408

DO-214AA

(SMBJ) (LEAD FRAME)

Mechanical Data

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

ꢀ Terminals: solderable per MIL-STD-750, Method 2026

ꢀ

Polarity: Color band denotespositive end (cathode)

except Bidirectional

ꢀ

Maximum soldering temperature: 260^oC for 10 seconds

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Peak Pulse Current on

10/1000us waveform

Peak Pulse Power

Dissipation

Operation And Storage T_J, T_STG

Temperature Range

Thermal Resistance

I_PP

See Table 1 Note: 2

P_PP

600W

Note: 2,

-55^oC to

+175^oC

25^OC/W

20^OC/W

DIMENSIONS

RthJC

RthJL

INCHES

MIN

4.06

3.30

0.15

0.76

5.08

2.00

1.91

DIM

MAX

.185

.155

.012

.060

.220

.096

.087

.008

MAX

4.70

3.94

0.31

1..52

5.59

2.44

2.21

0.203

NOTE

.160

.130

.006

.030

.200

.079

.075

.002

NOTES:

1. High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.

0.05

2. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above

T_A=25^oC per Fig.2.

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.106"

0.082”

0.050”

www.mccsemi.com

Revision: E

2013/07/18

1 of 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBJP6KE13CATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMBJP6KE13CE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMBJP6KE13CE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMBJP6KE13CTR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMBJP6KE13E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMBJP6KE13E3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMBJP6KE13-TP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
SMBJP6KE13-TP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
SMBJP6KE13TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
SMBJP6KE15	ETC	获取价格	Transient Voltage Suppressor

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