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SMBJ7.5

更新时间： 2024-01-22 20:44:52

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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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SMBJ7.5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
最大击穿电压：	10.2 V	最小击穿电压：	8.33 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	265	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SMBJ7.5 数据手册

ELECTRONICS INDUSTRY (USA) CO., LTD.

103 MOO 4, LATKRABANG EXPORT PROCESSING ZONE, LATKRABANG, BANGKOK 10520, THAILAND

TEL. : (66 2) 326-0102, 739-4580 FAX. : (66 2) 326-0933 E-mail : eicfirst @ iname.com http. : // www.eicsemi.com

SURFACE MOUNT TRANSIENT

SMBJ 5.0 - 170A

VOLTAGE SUPPRESSOR

VBR : 6.8 - 200 Volts

PPK : 600 Watts

SMB (DO-214AA)

1.1 ? 0.3

FEATURES :

* 600W surge capability at 1ms

* Excellent clamping capability

* Low inductance

0.22 ? 0.07

2.0 ? 0.1

* Response Time Typically < 1ns

* Typical I_Rless then 1mA above 10V

2.3 ? 0.2

3.6 ? 0.15

MECHANICAL DATA

* Case : SMB Molded plastic

Dimensions in millimeter

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Lead Formed for Surface Mount

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.108 gram

MAXIMUM RATINGS

Rating at Ta = 25 ?C ambient temperature unless otherwise specified.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000ms (1)

waveform (Notes 1, 2, Fig. 3)

Symbol

PPPM

Value

Minimum 600

See Table

Units

Watts

Amps

Peak Pulse Current on 10/1000ms

waveform (Note 1, Fig. 5)

IPPM

Peak forward Surge Current

8.3 ms single half sine-wave superimposed on

rated load ( JEDEC Method )(Notes 2, 3)

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50A (Note 3,4 )

Operating Junction and Storage Temperature Range

VFM

See Note 3, 4

- 65 to + 150

Volts

TJ, TSTG

Note :

(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 5 and derated above Ta = 25 ?C per Fig. 1

(2) Mounted on 5.0mm2 (0.013mm thick) land areas.

(3) Measured on 8.3ms. Single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.

(4) VF=3.5V for SMBJ5.0 thru SMBJ90 devices and VF=5V for SMBJ100 thru SMBJ170 devices.

UPDATE : MAY 25, 2000

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SMBJ7.5/5	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTI
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