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SMBJ30T3

更新时间: 2024-01-11 18:54:21
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力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
3页 460K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,

SMBJ30T3 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.1
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
最大击穿电压:42.2 V最小击穿电压:33.3 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.5 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

SMBJ30T3 数据手册

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