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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.1 | 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
| 最大击穿电压： | 159 V | 最小击穿电压： | 144 V |
| 最大钳位电压： | 209 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-214AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压： | 130 V |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBJ130CA-TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSILTM |
|
| SMBJ130CATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 130V V(RWM), Bidirectional, |
|
| SMBJ130CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 130V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMBJ130C-E3/52 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 130V 231V DO214AA |
|
| SMBJ130C-E3/5B | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 130V 231V DO214AA |
|
| SMBJ130CE3/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 130V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMBJ130CE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| SMBJ130C-G | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 130V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMBJ130C-GT3 | SENSITRON |
获取价格 |
Transient Suppressor, |
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| SMBJ130CHE3/52 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 130V V(RWM), Bidirectional, |
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