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SMBJ120

更新时间： 2024-01-24 05:44:44
品牌 Logo 应用领域
海德 - HDSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 1303K
描述
SMB Plastic-Encapsulate Diodes

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SMBJ120 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AA
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.63
最大击穿电压：163 V最小击穿电压：133 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SMBJ120 数据手册

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SMBJ SERIES  
SMB Plastic-Encapsulate Diodes  
Transient Voltage Suppressor Diodes  
Features  
●
PPP  
●VRWM  
1500W  
5.0V- 440V  
SMB  
●
Glass passivated chip  
Applications  
●
Clamping Voltage  
Marking  
●SMBJ  
XXCA/XXA/XX  
Bi-directional  
Uni-direction  
:
XX From 5.0 To 440  
Max  
Item  
Peak power dissipation  
Peak pulse current  
Symbol Unit  
Conditions  
with a 10/1000us waveform  
PPPM  
W
A
1500  
with a 10/1000us waveform  
On infinite heat sink at TL=75℃  
IPPM  
See Next Table  
6.5  
W
PD  
Power dissipation  
8.3 ms single half sine-wave unidirectional only  
IFSM  
A
200  
Peak forward surge current  
Operating junction and  
storage temperature range  
TJ,TSTG  
℃
-55 to +150  
Electrical Characteristics（T =25℃ Unless otherwise specified）  
a
Max  
Item  
Symbol Unit  
Conditions  
VF  
V
3.5/5.0  
Maximum instantaneous forward  
Voltage  
at 100A for unidirectional only  
RθJL  
RθJA  
℃/W  
℃/W  
75  
15  
junction to lead  
Thermal resistance  
junction to ambient  
Notes:  
(1)  
(2)  
(3)  
Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above TA= 25℃ per Fig.2.  
Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal  
VF<3.5V for devices of VBR<200V and VF<5.0V for devices of VBR>201V  
1
H
igh Diode Semiconductor  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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