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SMBJ11-T PDF预览

SMBJ11-T

更新时间： 2024-02-29 06:33:37
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 109K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

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SMBJ11-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMB, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.62其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, PRSM-MIN
最大击穿电压：14.9 V最小击穿电压：12.2 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：5 W最大重复峰值反向电压：11 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SMBJ11-T 数据手册

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TVS  
TFMBJ  
SERIES  
SURFACE MOUNT GPP  
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
600 WATT PEAK POWER 5.0 WATTS STEADY STATE  
FEATURES  
* Plastic package has underwriters laboratory  
* Glass passivated chip construction  
* 600 watt surage capability at 1ms  
* Excellent clamping capability  
* Low zener impedance  
* Fast response time  
(
)
)
0.083 2.11  
(
)
)
0.155 3.94  
(
0.077 1.96  
(
0.130 3.30  
(
)
)
0.180 4.57  
(
0.160 4.06  
(
)
)
0.012 0.305  
(
0.006 0.152  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
(
)
)
)
0.096 2.44  
(
0.084 2.13  
(
0.060 1.52  
(
)
)
0.008 0.203  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(
)
0.030 0.76  
(
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
0.004 0.102  
(
)
)
0.220 5.59  
(
0.205 5.21  
Dimensions in inches and (millimeters)  
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS  
For Bidirectional use C or CA suffix for types TFMBJ5.0 thru TFMBJ170  
Electrical characteristics apply in both direction  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
VALUE  
UNITS  
P
PPM  
Minimum 600  
Watts  
Amps  
Watts  
Peak Power Dissipation with a 10/1000uS (Note 1,2, Fig.1)  
I
PPM  
SEE TABLE 1  
5.0  
Peak Pulse Current with a 10/1000uS waveform ( Note 1, Fig.3 )  
Steady State Power Dissipation at  
TL  
= 75oC (Note 2)  
PM(AV)  
Peak Forward Surge Current 8.3mS single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method) (Note 2,3)  
unidirectional only  
I
FSM  
100  
Amps  
2t  
41.5  
A2/Sec  
Typical Current Squarad Time  
I
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50A for unidirectional  
only (Note 3,4)  
V
F
SEE NOTE 4  
-55 to + 150  
Volts  
0 C  
T
J
, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
= 25oC per Fig.2.  
2016-10  
REV:B  
NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T  
A
2. Mounted on 0.2 X 0.2”( 5.0 X 5.0mm ) copper pad to each terminal.  
3. Lead temperature at  
T
L
= 25o  
C
4. Measured on 8.3mS single half sine-wave duty cycle = 4 pules per minute maximum.  
5. VF = 3.5V on TFMBJ-5.0 thru TFMBJ-90 devices and VF = 5.0V on TFMBJ-100 thru TFMBJ-170 devices.  
1234567...10

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与SMBJ11-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMBJ11T1 LITTELFUSE

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
SMBJ11-T13 PROTEC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ11T3 LITTELFUSE

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
SMBJ11-TP MCC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ11-TP-HF MCC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ11TR MICROSEMI

获取价格

 		600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2
SMBJ11TRE3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 11V V(RWM), Unidirectional,
SMBJ12 FCI

获取价格

 		5.0V to 170V SMD TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
SMBJ12 MCC

获取价格

 		Transient Voltage Suppressor 5.0 to 170 Volts 600 Watt
SMBJ12 SOCAY

获取价格

 		Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS)

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