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SM8S20AHE3/2D

更新时间： 2024-01-29 12:04:00

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网光电二极管电视
页数	文件大小	规格书
5页	106K
描述
DIODE 6600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1, Transient Suppressor

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SM8S20AHE3/2D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-218
包装说明：	R-PSSO-C1	针数：	1
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.69
其他特性：	HIGH RELIABILITY, PD-CASE	最大击穿电压：	24.5 V
最小击穿电压：	22.2 V	击穿电压标称值：	23.35 V
外壳连接：	ANODE	最大钳位电压：	32.4 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-218AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-C1	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	5200 W
元件数量：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	8 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	20 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

SM8S20AHE3/2D 数据手册

SM8S10 thru SM8S43A

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Surface Mount PAR^®Transient Voltage Suppressors

High Temperature Stability and High Reliability Conditions

FEATURES

• Junction passivation optimized design passivated

anisotropic rectifier technology

• T_J= 175 °C capability suitable for high reliability

and automotive requirement

• Available in uni-directional polarity only

• Low leakage current

• Low forward voltage drop

DO-218AB

• High surge capability

• Meets ISO7637-2 surge specification (varied by test

condition)

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

245 °C

• AEC-Q101 qualified

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

PRIMARY CHARACTERISTICS

V_BR

11.1 V to 52.8 V

TYPICAL APPLICATIONS

_PPM(10 x 1000 μs)

6600 W

5200 W

Use in sensitive electronics protection against voltage

transients induced by inductive load switching and lighting,

especially for automotive load dump protection application.

_PPM(10 x 10 000 μs)

P_D

8 W

V_WM

10 V to 43 V

700 A

I_FSM

MECHANICAL DATA

Case: DO-218AB

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified

Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified

(“X” denotes revision code e.g. A, B, ..., revision code only

applicable for part number with 5 % tolerance)

T_Jmax.

Polarity

Package

175 °C

Uni-directional

DO-218AB

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

HE3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: heatsink is anode

MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

P_PPM

VALUE

6600

UNIT

with 10/1000 μs waveform

Peak pulse power dissipation

with 10/10 000 μs waveform

5200

Power dissipation on infinite heatsink at T_C= 25 °C (fig. 1)

Peak pulse current with 10/1000 μs waveform

P_D

8.0

(1)

I_PPM

See next table

700

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

Operating junction and storage temperature range

I_FSM

T_J, T_STG

-55 to +175

°C

Note

(1)

Non-repetitive current pulse derated above T_A= 25 °C

Revision: 31-Aug-16

Document Number: 88387

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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SM8S20AHE3/2D 替代型号

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