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SK86CHR7

更新时间： 2024-02-09 16:06:02
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TSC 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 208K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier

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SK86CHR7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.62其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.75 VJEDEC-95代码：DO-214AB
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向电流：500 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SK86CHR7 数据手册

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SK82C thru SK810C  
Taiwan Semiconductor  
CREAT BY ART  
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier  
FEATURES  
- Low power loss, high efficiency  
- Ideal for automated placement  
- Guardring for overvoltage protection  
- High surge current capability  
- Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020  
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and  
in accordance to WEEE 2002/96/EC  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214AB (SMC)  
DO-214AB (SMC)  
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0  
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free  
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified  
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102  
Meet JESD 201 class 1A whisker test  
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Indicated by cathode band  
Weight: 0.21 g (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
SK  
82C  
20  
SK  
83C  
30  
SK  
84C  
40  
SK  
85C  
50  
SK  
86C  
60  
SK  
810C  
100  
PARAMETER  
SYMBOL  
Unit  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
A
14  
21  
28  
35  
42  
70  
Maximum DC blocking voltage  
20  
30  
40  
50  
60  
100  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
8
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
150  
A
V
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)  
IF= 8 A  
VF  
0.55  
15  
0.75  
0.90  
0.5  
Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃  
TJ=100℃  
IR  
mA  
10  
Voltage rate of change (Rated VR)  
Typical thermal resistance  
10000  
20  
dV/dt  
RθJA  
TJ  
V/μs  
OC/W  
OC  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
-55 to +125  
-55 to +150  
OC  
TSTG  
- 55 to +150  
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle  
Document Number: DS_D1309051  
Version: G13  
1234

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