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SK20MLI066

更新时间: 2024-02-10 11:07:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 797K
描述
IGBT Module

SK20MLI066 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-P10针数:10
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.73
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):29 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:COMPLEX门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-P10元件数量:4
端子数量:10最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1.85 V
Base Number Matches:1

SK20MLI066 数据手册

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SK20MLI066  
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Features  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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1
26-02-2009 DIL  
© by SEMIKRON  

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