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SII50N12

更新时间： 2024-01-07 09:05:12

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SIRECTIFIER		晶体双极型晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
7页	737K
描述
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),NPT技术的IGBT模块NPT IGBT Modules (None Punch Through Technology).

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SII50N12 数据手册

SII50N12

NPT IGBT Modules

Dimensions in mm (1mm = 0.0394")

T C, unless otherwise specified

= 25^o

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Conditions

Units

Values

1200

CES

78(50)

156(100)

= 25(80)^o

= 25(80)^oC, tP =1ms

CRM

+20

GES

400

Ptot

^oC

Vj,(Tstg)

TOPERATION < Tstg

40...+125(150)

2500

AC, 1min

Visol

RthJC

0.3

0.6

K/W

RthJCD

Sirectifier

12 3 4 5 6 7

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