Datasheet > SI3442DVL99Z

SI3442DVL99Z

更新时间： 2024-01-19 19:58:49

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	74K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI3442DVL99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	4.1 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI3442DVL99Z 数据手册

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Units

DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS

I_S

Continuous Source Diode Current

1.3

1.2

Drain-Source Diode Forward Voltage

0.75

V_SD

V_GS= 0 V, I_S= 1.3 A (Note 2)

Notes:

1. R_q_JAis the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain pins. R_q_JCis guaranteed by

design while R_q_CAis determined by the user's board design.

T - T

= I²(t) ´ R_DS(ON

( )

P_Dt =

(t)

)

+R (t)

Typical R_q_JAusing the board layouts shown below on 4.5"x5" FR-4 PCB in a still air environment:

a. 78^oC/W when mounted on a 1 in²pad of 2oz copper.

b. 125^oC/W when mounted on a 0.01 in²pad of 2oz copper.

c. 156^oC/W when mounted on a 0.003 in²pad of 2oz copper.

Scale 1 : 1 on letter size paper

2. Pulse Test: Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2.0%.

SI3442DV Rev.A

1 234 5 6 7

下载PDF

与SI3442DVL99Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SI3442DVS62Z	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
SI3442DV-T1	TEMIC	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
SI3442DV-T1-E3	VISHAY	Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o	获取价格
SI3442DV-T2	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
SI3442DV-T3	TEMIC	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
SI3442DV-T3	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格