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SGA4263ZSR

更新时间： 2024-02-29 00:25:41

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威讯 - RFMD		放大器射频微波
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6页	563K
描述
DC to 3500MHz, CASCADABLE SiGe HBT MMIC AMPLIFIER

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SGA4263ZSR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP6,.08	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	5A991.G	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	12.5 dB	最大输入功率 (CW)：	18 dBm
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	6	最大工作频率：	3500 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TSSOP6,.08	电源：	3.2 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	49 mA	表面贴装：	YES
技术：	BIPOLAR	Base Number Matches：	1

SGA4263ZSR 数据手册

SGA4263Z

Application Schematic

Frequency (Mhz)

Reference

Designator

500

850

1950

2400

3500

R_BIAS

V_S

C_B

C_D

L_C

220 pF 100 pF

68 pF

22 pF

22 nH

56 pF

22 pF

18 nH

39 pF

15 pF

15 nH

100 pF

68 nH

68 pF

33 nH

1000

C_D

1 uF

L_C

Recommended Bias Resistor Values for I_D=45mA

R_BIAS=( V_S-V_D) / I_D

1,2

Supply Voltage(V_S)

R_BIAS

6 V

8 V

110

10 V

150

12 V

200

SGA4263Z

RF in

RF out

C_B

4,5

Note: R_BIASprovides DC bias stability over temperature.

Evaluation Board Layout

Mounting Instructions:

1. Use a large ground pad area near device pins 1, 2, 4, and 5 with many plated through-holes, as shown.

2. We recommend 1 or 2 ounces copper. Measurements for this data sheet were made on a 31mil thick FR-4 board with 1

ounce cooper on both sides.

7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical

support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.

DS111011

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