Datasheet > SG23N06DT

SG23N06DT

更新时间： 2022-04-06 15:44:34

品牌	Logo	应用领域
SIRECTIFIER		晶体双极型晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	109K
描述
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),IGBT分立器件Discrete IGBTs。

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SG23N06DT 数据手册

SG23N06T, SG23N06DT

Discrete IGBTs

Dim.

Millimeter

Min. Max. Min.

Inches

Max.

Dimensions TO-247AD

19.81 20.32 0.780 0.800

20.80 21.46 0.819 0.845

15.75 16.26 0.610 0.640

3.55 3.65 0.140 0.144

G=Gate, C=Collector,

C(TAB)

E=Emitter,TAB=Collector

4.32 5.49 0.170 0.216

5.4

6.2 0.212 0.244

1.65 2.13 0.065 0.084

4.5

0.177

1.0

1.4 0.040 0.055

10.8 11.0 0.426 0.433

4.7

0.4

5.3 0.185 0.209

0.8 0.016 0.031

SG23N06DT

SG23N06T

1.5 2.49 0.087 0.102

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Unit

VCES

VCGR

TJ=25^oC to 150^oC

600

TJ=25^oC to 150^oC; RGE=1 M ;

VGES

VGEM

Continuous

Transient

±20

±30

IC25

IC90

ICM

TC=25^oC

TC=90^oC

TC=25^oC, 1 ms

VGE=15V; TVJ=125^oC; RG=22

ICM=48

@ 0.8 VCES

SSOA

(RBSOA)

Clamped inductive load; L=100uH

TC=25^oC

150

-55...+150

150

-55...+150

TJM

Tstg

^oC

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s

300

Mounting torque

1.13/10

Nm/Ib.in.

Weight

=25^o

C, unless otherwise specified)

Characteristic Values

Symbol

Test Conditions

Unit

min.

typ.

max.

BV^CES

=250uA; VGE=0V

=250uA; VCE=VGE

600

2.5

GE(th)

5.0

200

CES

CE=0.8VCES

;

=25^o

=150^o

GE=0V;

GES

CE=0V; VGE=±20V

=IC90; VGE=15V

±100

2.5

2.1

CE(sat)

下载PDF

与SG23N06DT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SG23N06T	SIRECT	Discrete IGBTs	获取价格
SG23N06T	SIRECTIFIER	绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transist	获取价格
SG-240	KODENSHI	Photointerrupters(Transmissive)	获取价格
SG240128A	ETC	SG240128A	获取价格
SG240128B	ETC	BUILT-IN CONTROLLER (T6963C OR EQUIVALENT)	获取价格
SG243	KODENSHI	PHOTO INTERRUPTERS	获取价格