SFT5333

更新时间： 2024-02-03 15:19:44

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SSDI		晶体晶体管
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2页	251K
描述
2 AMP 100 VOLTS HIGH SPEED PNP TRANSISTOR

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SFT5333 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	70 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	85 MHz
Base Number Matches：	1

SFT5333 数据手册

PRELIMINARY

SFT5333

SOLID STATE DEVICES, INC.

14005 Stage Road

Santa Fe Springs, Ca 90670

Fax: (562) 404-1773

Phone: (562) 404-4474

2 AMP

100 VOLTS

HIGH SPEED

PNP TRANSISTOR

DESIGNER'S DATA SHEET

FEATURES:

• Radiation Tolerant

TO-5

• Fast Switching, 150ns MAX t(on)

• High Frequency, fT 85MHz MIN.

• BVCEO 70Volts MIN.

• Low Saturation Voltage.

• 200^oC Operating, Gold Eutectic Die Attach.

• Designed for Complementary Use with SFT4300.

MAXIMUM RATINGS

SYMBOL

VALUE

UNITS

Volts

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

CEO

100

CBO

Volts

Emitter-Base Voltage

Collector Current

EBO

Volts

Amps

Base Current

Total Device Dissipation @ T =100^oC

6.6

Derate above 100^oC

mW/^oC

T T

-65 to +200

15.2

^oC

Operating and Storage Temperature

J, STG

^oC/W

Thermal Resistance, Junction to Case

qJC

SYMBOL

MIN

MAX

UNITS

Volts

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100

CEO

(I = 30 mA

)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I = 200 mA

Volts

CBO

)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I = 200 mA

EBO

)

(V =90V T =25^oC)

Collector Cutoff Current

CB DC, C

(V =90V T =100^oC)

CBO

DC, C

Collector Cutoff Current

CEO

(V = 40 V

)

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: TR0002C

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