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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.79 | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 200 mA |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 393 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 20000 µA | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 800 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SF250L4B1 | TOSHIBA | SF250L4B1 |
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| SF250L6A1 | TOSHIBA | SF250L6A1 |
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| SF250N21 | TOSHIBA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),250A I(T),TO-200VAR52 |
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| SF250N27 | TOSHIBA | Silicon Controlled Rectifier, 393 A, 1000 V, SCR |
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| SF250Q21 | TOSHIBA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),250A I(T),TO-200VAR52 |
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| SF250Q27 | TOSHIBA | Silicon Controlled Rectifier, 393 A, 1200 V, SCR |
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