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SE4558N

更新时间: 2024-01-19 01:20:39
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恩智浦 - NXP 运算放大器
页数 文件大小 规格书
5页 89K
描述
Dual general-purpose operational amplifier

SE4558N 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP8,.3针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01风险等级:5.25
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):1.5 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.5 µA
最小共模抑制比:70 dB标称共模抑制比:100 dB
频率补偿:YES最大输入失调电压:6000 µV
JESD-30 代码:R-PDIP-T8长度:9.5 mm
低-失调:NO负供电电压上限:-22 V
标称负供电电压 (Vsup):-15 V功能数量:2
端子数量:8最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:+-15 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.2 mm标称压摆率:1 V/us
子类别:Operational Amplifier供电电压上限:22 V
标称供电电压 (Vsup):15 V表面贴装:NO
技术:BIPOLAR温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL标称均一增益带宽:3000 kHz
最小电压增益:50000宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

SE4558N 数据手册

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Philips Semiconductors Linear Products  
Product specification  
Dual general-purpose operational amplifier  
NE/SA/SE4558  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued)  
SE4558  
Typ  
SA/NE4558  
UNIT  
SYMBOL  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
=20mV  
Min  
Max  
Min  
Typ  
Max  
V
IN  
Transient response (unity gain)  
R =2kΩ  
L
C 100pF  
L
t
R
Rise time  
100  
15.0  
1.0  
100  
15.0  
1.0  
ns  
%
Overshoot  
SR  
Slew rate (unity gain)  
R 2kΩ  
L
V/µs  
f=10kHz  
R =1kΩ  
S
Channel separation (gain=100)  
Unity gain bandwidth (gain=1)  
Phase margin  
90  
3.0  
45  
90  
3.0  
45  
dB  
GBW  
2.0  
2.0  
MHz  
De-  
gree  
θ
M
nV/H  
z
V
NOISE  
Input noise voltage  
f=1kΩ  
25  
25  
NOTE: The following specifications apply over operating temperature range.  
V
Input offset voltage  
Input offset current  
R 10kΩ  
S
6.0  
7.5  
mV  
nA  
OS  
1
I
500  
300/500  
OS  
800/1500  
I
Input bias current  
1500  
nA  
BIAS  
1
R 2kΩ  
L
A
Large-signal voltage gain  
Output voltage swing  
Power consumption  
25,000  
15,000  
V/V  
V
V
V
=±10V  
OUT  
R 2kΩ  
L
±10  
±10  
T =HIGH  
105  
125  
150  
200  
115  
120  
150  
200  
mW  
mW  
A
P
C
T =LOW  
A
NOTES:  
1. SA4558 only.  
67  
August 31, 1994  

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