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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 外壳连接： | SOURCE AND SUBSTRATE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.05 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.02 pF |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-72 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 13 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SD300N | INFINEON | STANDARD RECOVERY DIODES Stud Version |
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| SD300N02FV | INFINEON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 380A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| SD300N02MV | INFINEON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 380A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| SD300N02PC | NJSEMI | Standard Recovery |
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| SD300N02PVPBF | INFINEON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 380A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| SD300N04MBCPBF | INFINEON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 380A, 400V V(RRM), Silicon, DO-205AB, |
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