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SBL530

更新时间： 2024-09-30 20:23:43

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
4页	60K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 30V V(RRM), Silicon, TO-220AC,

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SBL530 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.38	其他特性：	FREE WHEELING, UL FLAMMABILITY
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	最大非重复峰值正向电流：	175 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SBL530 数据手册

SBL530–SBL560

Vishay Lite–On Power Semiconductor

5.0A Schottky Barrier Rectifiers

Features

Schottky barrier chip

Guard ring die construction for transient

protection

Low power loss, high efficiency

High surge capability

High current capability and low forward voltage

drop

For use in low voltage, high frequency inverters,

free wheeling, and polarity protection

application

94 9537

Plastic material has UL flammability

classification 94V–0

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Test Condi-

tions

Type

Symbol

Value

Unit

Repetitive peak reverse voltage

=Working peak reverse voltage

=DC Blocking voltage

SBL530

SBL535

SBL540

SBL545

SBL550

SBL560

175

RRM

RWM

Peak forward surge current

Average forward current

Junction and storage temperature range

FSM

T =95 C

FAV

T =T

–65...+150

stg

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

I =5A, T =25 C

Type

SBL530–545

SBL550–560

Symbol Min

Typ Max Unit

Forward voltage

Reverse current

Diode capacitance

0.55

0.7

0.5

T =25 C

T =100 C

V =4V, f=1MHz

500

Thermal resistance

junction to ambient

T =const.

thJA

K/W

Rev. A2, 24-Jun-98

1 (4)

12 3 4

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