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SBL2030CT-B

更新时间: 2024-02-26 08:16:59
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美台 - DIODES 整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, Silicon,

SBL2030CT-B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3P
包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.54
Is Samacsys:N其他特性:FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用:EFFICIENCY配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.55 VJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最大输出电流:20 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子面层:Bright Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

SBL2030CT-B 数据手册

 浏览型号SBL2030CT-B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SBL2030CT-B的Datasheet PDF文件第3页 
20  
16  
40  
10  
SBL2030CT - SBL2045CT  
12  
8
SBL2045CT - SBL2060CT  
1.0  
4
0
0.1  
0
50  
100  
150  
0.1  
0.3  
0.5  
0.7  
0.9  
1.1  
TC, CASE TEMPERATURE (°C)  
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
Fig. 2 Typical Forward Voltage  
Fig. 1 Forward Current Derating Curve  
4000  
300  
250  
200  
Tj = 25°C  
8.3 ms single half-sine-wave  
JEDEC method  
f = 1.0MHz  
1000  
150  
100  
50  
0
100  
0.1  
1.0  
10  
100  
1
10  
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz  
Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Surge Current  
100  
VR, REVERSE VOLTAGE (V)  
Fig. 4 Typical Junction Capacitance  
100  
Tj = 100°C  
Tj = 75°C  
10  
1.0  
0.1  
Tj = 25°C  
0.01  
0
80  
40  
120  
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)  
Fig. 5 Typical Reverse Characteristics  
DS23015 Rev. 7 - 2  
2 of 3  
SBL2030CT-SBL2060CT  
www.diodes.com  

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