Datasheet > SB605G

SB605G

更新时间： 2024-09-27 22:22:23

品牌	Logo	应用领域
TSC		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	111K
描述
Single Phase 6.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SB605G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	6 A	最大重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

SB605G 数据手册

SB6G, SBT6G SERIES

Single Phase 6.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

Voltage Range

50 to 1000 Volts

Current

6.0 Amperes

SBT-6

SB-6

Features

ꢀ ^{UL Recognized File # E-96005}

ꢀ ^{Glass passivated junction}

ꢀ ^{Surge overload rating 175 amperes peak}

ꢀ Low forward voltage drop

ꢀ ^{Mounting position: Any}

ꢀ ^{High temperature soldering guaranteed:}

260℃ / 10 seconds / 0.375” ( 9.5mm )

lead length at 5 lbs., ( 2.3 kg ) tension

ꢀ Small size, simple installation

ꢀ ^{Leads solderable per MIL-STD-202}

Method 208

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Type Number

601G 602G 603G 604G 605G 606G 607G

SBT SBT SBT SBT SBT SBT SBT

601G 602G 603G 604G 605G 606G 607G

Symbol

Units

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

100 200 400 600 800 1000

70 140 280 420 560 700

V_RRM

V_RMS

V_DC

Maximum DC Blocking Voltage

100 200 400 600 800 1000

Maximum Average Forward Rectified Current

@T_A= 50℃

6.0

I_(AV)

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single

Half Sine-wave Superimposed on Rated

Load (JEDEC method )

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@ 3.0A

175

1.1

I_FSM

V_F

I_R

Maximum DC Reverse Current @ T_A=25℃

at Rated DC Blocking Voltage @ T_A=125℃

500

Rθ_JA

Rθ_JL

7.3

Typical Thermal Resistance (Note 1)

(Note 2)

℃/W

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

℃

T_J

-55 to +150

T_STG

-55 to +150

Notes: 1. Unit Mounted on P.C.B. at 0.375” (9.5mm) Lead Length with 0.5 x 0.5” (12 x 12mm)

Copper Pads.

2. Unit Mounted on 2” x 3” x 0.25” Al. Plate.

- 740 -

中文翻译

下载PDF

与SB605G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SB605W	SURGE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,
SB606	SURGE	获取价格	6.0 AMP SILICON BRIDGE
SB606	TSC	获取价格	Single Phase 6.0 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers
SB60-60	SEME-LAB	获取价格	DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER IN A TO-258 HERMETICALLY SEALED PACKAGE FOR HI.REL APPLICA
SB60-600	SEME-LAB	获取价格	DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER IN A TO-258 HERMETICALLY SEALED PACKAGE FOR HI.REL APPLICA
SB6060CT	FRONTIER	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
SB606G	TSC	获取价格	Single Phase 6.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers
SB606W	SURGE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 6A, Silicon
SB607	SURGE	获取价格	6.0 AMP SILICON BRIDGE
SB607	TSC	获取价格	Single Phase 6.0 AMPS. Silicon Bridge Rectifiers

与SB605G相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

24
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

21
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SB605G

SB605G 技术参数

SB605G 数据手册

与SB605G相关器件

与SB605G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SB605G

SB605G 技术参数

SB605G 数据手册

与SB605G相关器件

与SB605G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？