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SB20200FCT

更新时间： 2024-02-16 23:35:40

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WTE		二极管瞄准线高压功效局域网
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描述
20A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB20200FCT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.44	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	HIGH VOLTAGE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.92 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

SB20200FCT 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

SB20150FCT – SB20200FCT

20A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

ꢀ

Schottky Barrier Chip

ꢀ

Guard Ring for Transient Protection

Low Forward Voltage Drop

Low Reverse Leakage Current

High Surge Current Capability

Plastic Material has UL Flammability

Classification 94V-O

ITO-220

Min

Dim

Max

15.40

10.30

2.85

14.60

9.70

2.55

PIN1

3.56

4.16

13.00

0.30

13.80

0.90

3.00 Ø

6.30

3.50 Ø

6.90

Mechanical Data

ꢀ

Case: ITO-220, Full Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: See Diagram

Weight: 2.24 grams (approx.)

4.20

4.80

ꢀ

2.50

2.90

0.36

0.80

ꢀ

2.90

3.30

2.29

2.79

Mounting Position: Any

All Dimensions in mm

Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

PIN 1 -

PIN 3 -

PIN 2

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T_A=25°C unless otherwise specified

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

SB20150FCT

SB20200FCT

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

VRRM

VRWM

V^R

150

105

200

140

RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

Average Rectified Output Current

@T_C= 95°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC Method)

IFSM

200

0.92

Forward Voltage

@I_F= 10A

VFM

I^RM

Peak Reverse Current

@T_A= 25°C

0.5

100

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 100°C

Typical Junction Capacitance (Note 1)

1100

°C

Operating and Storage Temperature Range

Tj, TSTG

-65 to +150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

SB20150FCT – SB20200FCT

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