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SB2020CT PDF预览

SB2020CT

更新时间： 2024-02-04 02:34:54
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页数 文件大小 规格书
2页 163K
描述
20A Dual Schottky Barrier Rectifier

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SB2020CT 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.68Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：550 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

SB2020CT 数据手册

 浏览型号SB2020CT的Datasheet PDF文件第2页 
SB2020CT-SB20100CT  
20A Dual Schottky Barrier Rectifier  
TO-220AB  
Features  
4.5± 0.2  
10.2± 0.2  
1.4± 0.2  
? 3.8± 0.15  
!
Schottky Barrier Chip  
!
!
!
!
!
Guard Ring for Transient Protection  
Low Forward Voltage Drop  
Low Reverse Leakage Current  
High Surge Current Capability  
Plastic Material has UL Flammability  
Classification 94V-O  
PIN  
3
1
2
2.6± 0.2  
0.9± 0.1  
0.5± 0.1  
2.5± 0.1  
Mechanical Data  
PIN 1  
PIN 3  
CASE  
PIN 2  
!
!
Case: TO-220AB, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Dimensions in millimeters  
!
!
!
!
!
Polarity: See Diagram  
Weight: 2.24 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
20100CT  
2020CT 2030CT 2040CT 2045CT 2050CT 2060CT 2080CT  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
V
20  
14  
30  
21  
40  
28  
45  
32  
50  
35  
60  
42  
80  
56  
100  
70  
V
R
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 95°C  
20  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
I
FSM  
200  
A
Forward Voltage  
@IF = 10A  
VFM  
IRM  
0.55  
0.75  
0.85  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage @TA = 100°C  
@TA = 25°C  
0.5  
100  
mA  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Cj  
1100  
pF  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  
12

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