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SB140-1.3

更新时间： 2022-12-29 05:08:11

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GSG		肖特基二极管
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Chips for Schottky Diodes

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SB140-1.3 数据手册

SB 1XX - 1.3

Chips for Schottky Diodes

Chip Specification

General Description:

Schottky Diode chips with Mo-barrier for switch mode power

rectifiers with the following features:

* Guard-ring for stress protection

* Extremely low forward voltage

* 125 ℃ operation junction temperature

* reverse avalanche behavior

Mechanical Data:

SB 1XX passivated Silicon Chip

Demension(mm)

Thickness:

1,3x1,3

350 +- 20 µm

Metallization:

Top ( Anode ) :

Al Ag

Bottom ( Cathode) : TiNiAg

Forward Current(A)

1 A

Reverse Voltage (V):23, 43, 100 V

Type

Chip

V^R(V)

VF(V)@25 C I^RM@V^RMM

size(mm)

1,3x1,3

at If=1A

at 25 C

SB120

SB140

SB1100

23 V

43 V

100 V

380mV

400mV

650mV

0,5mA

Note: Other voltages, Vf & Top Metal AL are available

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