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S8S3122X16-TCR1

更新时间: 2024-02-19 13:45:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器
页数 文件大小 规格书
44页 1162K
描述
256K x 16 SDRAM

S8S3122X16-TCR1 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP50,.46,32针数:50
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G50长度:20.95 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:50
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP50,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.1 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

S8S3122X16-TCR1 数据手册

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S8S3122X16  
CMOS SDRAM  
256K x 16 SDRAM  
128K x 16bit x 2 Banks  
Synchronous DRAM  
LVTTL  
Version 0.0  
Sep 2001  
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Ver 0.0 Sep. '01  

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