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S82S09I/883B

更新时间: 2024-01-16 17:23:45
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 206K
描述
Standard SRAM, 64X9, 80ns, TTL, CDIP28

S82S09I/883B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最长访问时间:80 ns
JESD-30 代码:R-XDIP-T28JESD-609代码:e0
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:9
端子数量:28字数:64 words
字数代码:64工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:64X9输出特性:OPEN-COLLECTOR
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

S82S09I/883B 数据手册

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