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S1KW8C-1D

更新时间: 2024-01-29 22:30:59
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商升特 - SEMTECH 高压大电源高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 2A, 8000V V(RRM), Silicon, G23A, 3 PIN

S1KW8C-1D 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-XXSS-X3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.74应用:HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接:ANODE AND CATHODE配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):8 VJESD-30 代码:R-XXSS-X3
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:2 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SPECIAL SHAPE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:8000 V
最大反向电流:1 µA最大反向恢复时间:2 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
Base Number Matches:1

S1KW8C-1D 数据手册

 浏览型号S1KW8C-1D的Datasheet PDF文件第2页 
STANDARD RECOVERY S1KW8C-1* S1KW16C-2*  
HIGH POWER DOUBLER S1KW24C-3* S1KW32C-4*  
AND CENTER TAPS  
S1KW40C-5* S1KW48C-6*  
January 9, 1998  
TEL:805-498-2111 FAX:805-498-3804 WEB:http://www.semtech.com  
© 1997 SEMTECH CORP.  
652 MITCHELL ROAD NEWBURY PARK CA 91320  

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