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S15GYD2 PDF预览

S15GYD2

更新时间： 2024-01-05 10:54:23
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 整流二极管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 131K
描述
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes – Single Diode

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S15GYD2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.76Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：450 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：400 V
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

S15GYD2 数据手册

 浏览型号S15GYD2的Datasheet PDF文件第2页 
S15AYD2 ... S15MYD2  
S15AYD2 ... S15MYD2  
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes – Single Diode  
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage– Einzeldiode  
Version 2011-05-25  
Nominal current  
Nennstrom  
15 A  
1.2  
10.25±0.5  
4.5±0.2  
4
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50...1000 V  
Type  
Typ  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
TO-263AB  
D2PAK  
1
2
3
1.3  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
1.6 g  
0.8  
5.08  
0.4  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
1
2/4  
3
Standard packaging in tubes  
Standard Lieferform in Stangen  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V] 1)  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V] 1)  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
VF [V] Tj = 25°C  
IF = 5 A  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.0  
< 1.0  
IF = 15 A  
< 1.3  
< 1.3  
< 1.3  
< 1.3  
< 1.3  
< 1.3  
< 1.3  
S15AYD2  
S15BYD2  
S15DYD2  
S15GYD2  
S15JYD2  
S15KYD2  
S15MYD2  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
Max. average forward current, R-load  
Dauergrenzstrom mit R-Last  
TC = 100°C  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
15 A  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
80 A 1)  
400/450 A 1)  
800 A2s 1)  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
-50...+150°C  
-50...+175°C  
Tj  
TS  
1
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
12

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