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S07G/G2

更新时间： 2024-01-24 22:52:01
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 107K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.7A, 400V V(RRM), Silicon, DO-219AA, PLASTIC, SMF, 2 PIN

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S07G/G2 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：DO-219AB包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.31配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-219AAJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.7 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：400 V
最大反向恢复时间：1.8 µs表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

S07G/G2 数据手册

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S07B to S07M  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Part  
Symbol  
VRRM  
Value  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
S07B  
100  
200  
400  
600  
1000  
70  
S07D  
S07G  
S07J  
S07M  
S07B  
S07D  
S07G  
S07J  
S07M  
S07B  
S07D  
S07G  
S07J  
S07M  
VRRM  
VRRM  
VRRM  
VRRM  
VRMS  
VRMS  
VRMS  
VRMS  
VRMS  
VDC  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
Maximum RMS voltage  
140  
280  
420  
700  
100  
200  
400  
600  
1000  
1.5  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
VDC  
VDC  
VDC  
Ttp = 75 °C1)  
TA = 65 °C2)  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
IF(AV)  
IFSM  
0.7  
25  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half TL = 25 °C  
sine-wave  
1) Averaged over any 20 ms period  
2)Mounted on epoxy substrate with 3 x 3 mm CU pads (≥ 40 µm thick)  
Maximum Thermal Resistance  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Value  
180  
Unit  
K/W  
Thermal resistance junction to  
ambient air2)  
Operating junction and storage  
temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
2) Mounted on epoxy substrate with 3 x 3 mm CU pads (≥ 40 µm thick)  
Electrical Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Typ.  
Max  
1.1  
Unit  
V
1.0 A3)  
Maximum instantaneous forward  
voltage  
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage  
TA = 25 °C  
IR  
10  
µA  
TA = 125 °C  
IR  
trr  
50  
µA  
µs  
pF  
Reverse recovery time  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A  
1.8  
Typical capacitance at 4 V, MHz  
CJ  
4
3) Pulse test: 300 µ pulse width, 1 % duty cycle  
www.vishay.com  
2
Document Number 85733  
Rev. 3, 21-Feb-03  
12345

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