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S0508L

更新时间： 2024-01-18 23:18:03
品牌 Logo 应用领域
TECCOR 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
14页 143K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-220AB

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S0508L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.03外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：125 V/us
最大直流栅极触发电流：15 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：30 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大漏电流：0.2 mA通态非重复峰值电流：100 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：8000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：8 A重复峰值关态漏电流最大值：10 µA
断态重复峰值电压：50 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

S0508L 数据手册

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Electrical Specifications  
V
& V  
Part Number  
DRM  
I
I
I
& I  
V
V
GT  
Isolated  
Non-Isolated  
T
RRM  
GT  
DRM  
RRM  
TM  
Repetitive  
Peak  
Off-State  
Forward  
& Reverse  
Voltage  
DC Gate  
Trigger  
Current  
VD = 12VDC  
RL = 60Ω  
(4)  
Peak  
On-State  
Voltage at  
Max Rated  
RMS  
Current  
TC = 25°C  
(3)  
Maximum  
On-State  
Current  
(1) (2)  
Peak Off-State  
Forward & Reverse  
Current at  
VDRM & VRRM  
(13)  
DC Gate-  
Trigger  
Voltage  
A
A
TYPE  
VD = 12VDC  
R
L = 60Ω  
(8)  
G
K
A
K
G
K
G
K
A
A
G
A
TO -220AB  
TO - 220AB TO - 202AB  
TO - 92  
Amps  
mAmps  
Volts  
TC  
=
TC  
=
TC  
=
TC  
=
TC =  
IT(RMS) IT(AV)  
Volts  
MIN  
50  
mAmps  
25°C 100°C 125°C  
MAX  
Volts  
MAX  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
25°C 125°C  
See “Package Dimensions” section for variations.  
MAX  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
6.0  
6.0  
6.0  
6.0  
6.0  
6.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
MAX  
0.64  
0.64  
0.64  
0.64  
0.64  
3.8  
MIN  
1
MAX  
10  
10  
10  
10  
10  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
MAX  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
MIN  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
S051E  
S101E  
S201E  
S401E  
S601E  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
.01  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1.0  
Amp  
100  
200  
400  
600  
50  
1
1
1
1
S0506L  
S1006L  
S2006L  
S4006L  
S6006L  
S8006L  
S0508L  
S1008L  
S2008L  
S4008L  
S6008L  
S8008L  
S0506F1  
S1006F1  
S2006F1  
S4006F1  
S6006F1  
1
3.8  
100  
200  
400  
600  
800  
50  
1
6.0  
3.8  
1
Amps  
3.8  
1
3.8  
1
3.8  
1
S0508F1  
S1008F1  
S2008F1  
S4008F1  
S6008F1  
S0508R  
S1008R  
S2008R  
S4008R  
S6008R  
S8008R  
5.1  
1
5.1  
100  
200  
400  
600  
800  
1
8.0  
Amps  
5.1  
1
5.1  
1
5.1  
1
5.1  
1
General Notes  
Electrical Specification Notes  
•
•
•
All measurements are made at 60Hz with a resistive load at an  
ambient temperature of +25 C unless otherwise specified.  
(1) See Figures 6.5 through 6.16 for current rating at specified operat-  
ing case temperature.  
°
(2) See Figures 6.1 and 6.2 for free air current rating.  
(3) See Figures 6.19 and 6.20 for instantaneous on-state current vs  
on-state voltage (typical).  
Operating temperature range (T ) is -65 C to +125 C for TO-92  
°
°
J
devices and -40 C to +125 C for all other packages.  
°
°
Storage temperature range (T ) is -65 C to +150 C for TO-92  
°
°
(4) See Figure 6.18 for IGT vs TC.  
S
devices, -40 C to +150 C for TO-202 and TO-220 devices, -40 C to  
°
°
°
(5) See Figure 6.17 for IH vs TC.  
(6) For more than one full cycle rating, see Figure 6.23.  
+125 C for all others.  
°
(7) See Figure 6.22 for tgt vs IGT  
(8) See Figure 6.21 for VGT vs TC.  
(9) Test conditions are as follows: IT = 1A for 1.0A devices and 2A for  
.
•
•
Lead solder temperature is a maximum of 230 C for 10 seconds  
maximum; 1/16" (1.59mm) from case.  
°
The case temperature (TC) is measured as shown on dimensional  
outline drawings. See “Package Dimensions” section of this  
catalog.  
all other devices. Pulse duration = 50 s, dv/dt = 20V/ s, di/dt =  
µ
µ
-10A/ s for 1.0A devices, and -30A/ S for other devices.  
µ
µ
I
GT = 200mA at turn-on.  
(10) See Figures 6.5 through 6.10 for maximum allowable case tem-  
peratures at maximum rated current.  
(11) Pulse width 10 s.  
≤
µ
(12) Initial on-state current = 200mA(DC) for 1A through 16A devices;  
400mA(DC) for 20A through 70A devices.  
(13) TC = TJ for test conditions in off-state.  
SCRs  
6-2  
Teccor Electronics, Inc.  
(972) 580-7777  
1234567...14

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