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RPI-125

更新时间： 2024-01-24 14:53:28
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电开关插槽式开关输出元件
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
Photointerrupter, Ultraminiature type

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RPI-125 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ULTRA SMALL, ULTRA MINIATURE PACKAGE-4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.7
Is Samacsys：NColl-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V
配置：SINGLE最大暗电源：500 nA
最大正向电流：0.05 A间隙大小：1.2 mm
JESD-609代码：e1安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最大通态电流：0.00495 A
最大通态电压：30 V标称通态集电极电流：1.8 mA
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
光电设备类型：TRANSISTOR OUTPUT SLOTTED SWITCH输出电路类型：Transistor
标称槽宽：1.2 mm表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)Base Number Matches：1

RPI-125 数据手册

 浏览型号RPI-125的Datasheet PDF文件第2页 
External dimensions (Unit : mm)  
RPI-125  
Photointerrupter, Ultraminiature type  
( 4 - 0 . 3 5 )  
( 4 - 0 . 3 )  
2 . 7 5  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Through hole  
4 - φ0 . 8  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
mA  
V
Forward current  
IF  
50  
Applications  
Reverse voltage  
VR  
5
80  
DSC(Digital steal camera)  
DVC(Digital video camera)  
Digital handy phone  
Power dissipation  
PD  
mW  
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-collector voltage  
Collector current  
VCEO  
VECO  
IC  
30  
1.0  
1.6  
4.5  
V
30  
mA  
mW  
°C  
Features  
3 . 6 0 . 3  
Cross-section A-A  
2 . 6  
0 . 3  
Collector power dissipation  
Operating temperature  
Storage temperature  
Soldering temperature  
PC  
80  
Gap  
1 . 2 0 . 3  
1) Ultra-small.  
2) Gap 1.2mm.  
Topr  
Tstg  
−25 to +85  
−30 to +85  
260/5  
°C  
(2-0.1)  
C 0 . 2  
C 0 . 4  
Tsol  
°C/sec  
A
A
Optical axis center  
Electrical and optical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
1.3  
−
Max.  
1.6  
10  
Unit  
V
Conditions  
0.4  
0.5  
VF  
IR  
−
−
IF=50mA  
VR=5V  
Forward voltage  
2 - R 0 . 3  
0 . 1 5  
µA  
µA  
nm  
mA  
V
Reverse current  
Dark current  
ICEO  
−
−
0.5  
−
VCE=10V  
( 2 . 7 5 )  
Peak sensitivity wavelength  
Collector current  
(2)  
λ
P
−
800  
1.8  
−
−
IC  
VCE(sat)  
tr  
0.45  
−
4.95  
0.4  
−
VCE=5V, IF=20mA  
IF=20mA, IC=0.1mA  
Collector-emitter saturation voltage  
Emitter  
Cathode  
Rise time  
−
−
10  
10  
µs  
µs  
Response time  
VCC=5V, IF=20mA, RL=100Ω  
−
Fall time  
tf  
fC  
Cut-off frequency  
−
−
1
−
−
MHz  
nm  
IF=50mA  
∗ Non-coherent Infrared light emitting diode used.  
950  
λP  
Peak light emitting wavelength  
Response time  
Notes:  
1. Unspecified tolerance  
shall be 0.2 .  
Collector  
Anode  
VCC=5V, IC=1mA, RL=100Ω  
tr tf  
µs  
−
−
10  
−
−
∗ This product is not designed to be protected against electromagnetic wave.  
2. Dimension in parenthesis are  
show for reference.  
nm  
−
Maximum sensitivity wavelength  
λP  
800  
Electrical and optical characteristics curves  
5
4
3
2
1
0
100  
125  
1000  
50  
40  
30  
20  
−25°C  
0°C  
25°C  
50°C  
75°C  
50  
100  
100  
d
VCE=30V  
VCE=20V  
40  
RL=1kΩ  
75  
10  
1
VCE=10V  
RL=500Ω  
30  
10  
50  
20  
RL=100Ω  
25  
10  
0
10  
0.1  
1
0
0
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
0
5
10  
15  
20  
25  
−25  
0
25  
50  
75  
100  
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8  
0.05 0.1  
1
10  
−20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
DISTANCE : d (mm)  
FORWARD CURRENT : IF (mA)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
FORWARD VOLTAGE : VF (V)  
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
Fig.7 Collector current vs.  
forward current  
Fig.8 Response time vs.  
collector current  
Fig.9 Dark current vs.  
ambient temperature  
Fig.1 Relative output current vs.  
distance ( )  
Fig.3 Forward current vs. forward  
voltage  
Fig.2 Forward current falloff  
125  
Input  
VCC  
7
6
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
100  
100  
75  
50  
25  
0
IF=30mA  
25mA  
80  
60  
40  
20  
5
4
3
PD PC  
Input  
Output  
RL  
90%  
10%  
20mA  
15mA  
Output  
td  
10mA  
5mA  
2
1
tr  
tf  
td : Delay time  
VCE=5V  
Rise time (time for output current to rise from  
10% to 90% of peak current)  
tr :  
IF=20mA  
0
0
0
2
4
6
8
10  
−20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
−25  
0
25  
50  
75  
100  
tf :  
Fall time (time for output current to fall from 90%  
to 10% of peak current)  
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE: VCE (V)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
DISTANCE : d (mm)  
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)  
Fig.4 Relative output current vs.  
distance (  
Fig.5 Power dissipation / collector power  
dissipation vs. ambient temperature  
Fig.6 Relative output vs. ambient  
temperature  
Fig.10 Output characteristics  
Fig.11 Response time measurement circuit  
)
12

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