Datasheet > 传感器/换能器 > 磁场传感器> BU52012NVX

BU52012NVX

更新时间： 2024-02-25 05:59:41

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关
页数	文件大小	规格书
5页	110K
描述
Hall effect Switch

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BU52012NVX 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOLCC4,.06,25	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.02	其他特性：	CMOS OUTPUT
主体宽度：	1.2 mm	主体高度：	0.6 mm
主体长度或直径：	1.6 mm	滞后：	0.9 mT
输入模式：	UNIPOLAR	最大磁场范围：	5 mT
最小磁场范围：	0.6 mT	安装特点：	SURFACE MOUNT
端子数量：	4	最大工作电流：	0.0125 mA
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出极性：	INVERTING	输出范围：	0.20-1.60V
输出类型：	ANALOG VOLTAGE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SOLCC4,.06,25	封装形状/形式：	RECTANGULAR
电源：	1.8 V	传感器/换能器类型：	MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT
子类别：	Other Sensors	最大供电电压：	3.6 V
最小供电电压：	1.65 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端接类型：	SOLDER
Base Number Matches：	1

BU52012NVX 数据手册

1/4

STRUCTURE

Silicon Monolithic Integrated Circuit

TYPE

BU52012NVX

PRODUCT

Hall effect Switch

FEATURES

1) Unipolar detection (S-pole)

2) High sensitivity (B_OPTYP 3.0mT)

3) Low supply current

4) Small package

5) CMOS output type

●ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)

PARAMETERS

SYMBOL

LIMIT

UNIT

※1

Power Supply Voltage

V_DD

I_OUT

-0.1～+4.5

Output Current

±0.5

※2

Power Dissipation

2049

Operating Temperature Range

T_opr

T_stg

-40～+85

℃

Storage Temperature Range

※1. Not to exceed Pd

-40～+125

※2. Reduced by 20.49mW for each increase in Ta of 1℃ over 25℃

（mounted on 70mm×70mm×1.6mm Glass-epoxy PCB）

●OPERATING CONDITIONS (Ta=-40～+85℃)

PARAMETERS

SYMBOL MIN TYP MAX UNIT

V_DD

1.65 3.00 3.60

Power Supply Voltage

Radiation hardiness is not designed.

REV. A

12 3 4 5

下载PDF

与BU52012NVX相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BU52012NVX-TR	ROHM	Unipolar Detection Hall ICs	获取价格
BU52013HFV	ROHM	Hall effect Switch	获取价格
BU52013HFV-TL	ROHM	Sensor/Transducer, CMOS, 6 Pin, Plastic/epoxy,	获取价格
BU52013HFV-TR	ROHM	暂无描述	获取价格
BU52014HFV	ROHM	Hall effect Switch	获取价格
BU52014HFVTR	ROHM	MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, 0.6-5mT, 0.20-1.60V, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT, ROHS C	获取价格