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Datasheet > 传感器/换能器 > 磁场传感器> BU52014HFVTR
BU52014HFVTR PDF预览

BU52014HFVTR

更新时间： 2024-11-14 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
12页 359K
描述
MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, 0.6-5mT, 0.20-1.60V, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT, ROHS COMPLIANT, HVSOF-5

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BU52014HFVTR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.77其他特性：CMOS OUTPUT, DUAL OUTPUT
主体宽度：1.2 mm主体高度：0.6 mm
主体长度或直径：1.6 mm滞后：0.9 mT
最大磁场范围：5 mT最小磁场范围：0.6 mT
安装特点：SURFACE MOUNT最大工作电流：0.012 mA
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.5 mA输出范围：0.20-1.60V
输出类型：DIGITAL VOLTAGE封装形状/形式：RECTANGULAR
传感器/换能器类型：MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT最大供电电压：3.3 V
最小供电电压：1.65 V表面贴装：YES
端子面层：NOT SPECIFIED端接类型：SOLDER
Base Number Matches：1

BU52014HFVTR 数据手册

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Hall IC Series  
Omnipolar Detection Hall ICs  
(Polarity detection for  
both S and N features dual outputs)  
BU52004GUL, BU52014HFV  
No.10045EDT01  
●Description  
The BU52004GUL and BU52014HFV are bipolar Hall ICs incorporating a polarity determination circuit that enables  
operation (output) on both the S- and N-poles, with the polarity judgment based on the output processing configuration.  
These Hall IC products can be in with movie, mobile phone and other applications involving crystal panels to detect the  
(front-back) location or determine the rotational direction of the panel.  
●Features  
1) Omnipolar detection (polarity detection for both S and N features dual outputs)  
2) Micropower operation (small current using intermittent operation method)  
3) Ultra-compact CSP4 package(BU52004GUL)  
4) Small outline package (BU52014HFV)  
5) Line up of supply voltage  
For 1.8V Power supply voltage (BU52014HFV)  
For 3.0V Power supply voltage (BU52004GUL)  
6) Polarity judgment and output on both poles (OUT1: S-pole output; OUT2: N-pole output)  
7) High ESD resistance 8kV(HBM)  
●Applications  
Mobile phones, notebook computers, digital video camera, digital still camera, etc.  
●Product Lineup  
Supply  
voltage  
(V)  
Supply current  
(AVG. )  
Operate point Hysteresis  
Period  
(ms)  
Product name  
Output type  
Package  
(mT)  
(mT)  
(μA)  
※
※
BU52004GUL  
BU52014HFV  
2.40～3.30  
+/-3.7  
+/-3.0  
0.8  
0.9  
50  
50  
8.0  
5.0  
CMOS  
CMOS  
VCSP50L1  
HVSOF5  
1.65～3.30  
※Plus is expressed on the S-pole; minus on the N-pole  
●Absolute Maximum Ratings  
BU52004GUL (Ta=25℃)  
PARAMETERS  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
V
1
Power Supply Voltage  
Output Current  
VDD  
IOUT  
Pd  
-0.1 ~ +4.5※  
±1  
420※  
mA  
mW  
℃
2
Power Dissipation  
Operating Temperature Range  
Topr  
Tstg  
-40 ~ +85  
Storage Temperature Range  
-40 ~ +125  
℃
※1. Not to exceed Pd  
※2. Reduced by 4.20mW for each increase in Ta of 1℃ over 25℃  
(mounted on 50mm×58mm Glass-epoxy PCB)  
BU52014 HFV (Ta=25℃)  
PARAMETERS  
SYMBOL  
VDD  
LIMIT  
-0.1 ~ +4.5※  
±0.5  
UNIT  
V
3
Power Supply Voltage  
Output Current  
IOUT  
Pd  
mA  
mW  
℃
4
Power Dissipation  
536※  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Topr  
Tstg  
-40 ~ +85  
-40 ~ +125  
℃
※3. Not to exceed Pd  
※4. Reduced by 5.36mW for each increase in Ta of 1℃ over 25℃  
(mounted on 70mm×70mm×1.6mm Glass-epoxy PCB)  
www.rohm.com  
© 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2010.01 - Rev.D  
1/11  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BU52014HFV-TR ROHM

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 		Hall Effect Sensor, 0.6mT Min, 5mT Max, 0.20-1.60V, CMOS, Plastic/epoxy, Rectangular, 6 Pi
BU52015GUL ROHM

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BU52015GUL-E2 ROHM

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 		Hall Effect Sensor, 0.6mT Min, 5mT Max, 0.20-1.60V, Bipolar, Plastic/epoxy, Square, 4 Pin,
BU52021HFV ROHM

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 		Hall effect Switch
BU52021HFV-TR ROHM

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 		暂无描述
BU52025G ROHM

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