RN2605

更新时间： 2024-09-30 21:53:23

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体开关晶体管光电二极管驱动
页数	文件大小	规格书
7页	454K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RN2605 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	2-3N1A, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.55	其他特性：	BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 21.36
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	6 pF
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

RN2605 数据手册

RN2601~RN2606

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2601,RN2602,RN2603

RN2604,RN2605,RN2606

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

Unit in mm

And Driver Circuit Applications

ꢀ Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads)

ꢀ With built-in bias resistors

ꢀ Simplify circuit design

ꢀ Reduce a quantity of parts and manufacturing process

ꢀ Complementary to RN1601~1606

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN2601

RN2602

RN2603

RN2604

RN2605

RN2606

4.7

2.2

4.7

JEDEC

EIAJ

―

TOSHIBA

Weight: 0.015g

2-3N1A

Equivalent Circuit (Top View)

Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

−50

CBO

CEO

RN2601~2606

Collector-emitter voltage

RN2601~2604

RN2605, 2606

−10

Emitter-base voltage

EBO

−5

Collector current

−100

300

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

P *

RN2601~2606

150

−55~150

°C

stg

Total rating

2001-06-05

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与RN2605相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2605(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN,
RN2605(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN,
RN2605TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
RN2605TE85N	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
RN2606	TOSHIBA	获取价格	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN2606(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN,
RN2606(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN,
RN2606TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
RN2606TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
RN2607	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

与RN2605相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

31
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

27
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

26
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RN2605

RN2605 技术参数

RN2605 数据手册

与RN2605相关器件

与RN2605相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RN2605

RN2605 技术参数

RN2605 数据手册

与RN2605相关器件

与RN2605相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？