生命周期: | Active | 包装说明: | LBGA, |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.8 | 最长访问时间: | 0.45 ns |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 37748736 bit | 内存集成电路类型: | QDR SRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2MX18 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RMQSDA3636DGBA-182 | RENESAS |
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36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-word Burst Architecture (2.5 Cycle Read latency) with ODT | |
RMR-01 | DBLECTRO |
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SURFACE MOUNTING TYPE DIP SWITCH | |
RMR-01-R | DBLECTRO |
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SURFACE MOUNTING TYPE DIP SWITCH | |
RMR-01-T | DBLECTRO |
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SURFACE MOUNTING TYPE DIP SWITCH | |
RMR-01-T-R | DBLECTRO |
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SURFACE MOUNTING TYPE DIP SWITCH | |
RMR-02 | DBLECTRO |
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SURFACE MOUNTING TYPE DIP SWITCH | |
RMR-02G-T-R | DBLECTRO |
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Slide Dip Switch | |
RMR-02-R | DBLECTRO |
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SURFACE MOUNTING TYPE DIP SWITCH | |
RMR-02-T | DBLECTRO |
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SURFACE MOUNTING TYPE DIP SWITCH | |
RMR-02-T-R | DBLECTRO |
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SURFACE MOUNTING TYPE DIP SWITCH |