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RL2AV3

更新时间： 2024-02-04 17:53:59
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
9页 172K
描述
1.2A, SILICON, RECTIFIER DIODE,

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RL2AV3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.63
Is Samacsys：N应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：1.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

RL2AV3 数据手册

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Ultra Fast Recovery Rectifier Diodes  
■ Surface-mount Type  
■ Single-chip Frame Type  
(Ta =25ºC)  
Electrical Characteristics  
(Ta =25ºC)  
Electrical Characteristics  
Absolute Maximum Ratings  
Tj Tstg  
(ºC)  
Absolute Maximum Ratings  
Tj Tstg  
(ºC)  
Fig.  
No.  
Fig.  
No.  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
trr1  
(ns)  
trr2  
(ns)  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
trr1  
(ns)  
trr2  
(ns)  
Type No.  
Type No.  
VRM IF(AV) IFSM  
VRM IF(AV) IFSM  
(V)  
(A)  
(A)  
(V)  
(A)  
(A)  
max max max max  
max max max max  
0.9  
1.0  
3.0  
6.0  
SFPL-52  
FMG-G26S  
-G36S  
4.0  
8.0  
3.0  
5.0  
50  
80  
11  
13  
11  
13  
25  
10  
50  
50  
30  
35  
25  
1
600  
1000  
200  
2.50  
500  
-62  
100  
50  
200  
–40 to +150 0.98  
–40 to +150  
–40 to +150  
SPX-G32S  
50  
80  
-G2CS  
30  
4.00  
3.50  
1.15  
0.92  
0.98  
50  
100  
50  
12  
✽
60  
150  
150  
100  
40  
70  
70  
50  
-62S  
-G3CS  
✽Center-tap Type  
FMP-G12S  
FMN-G12S  
FML-G12S  
-G13S  
65  
5.0  
11  
11  
11  
100  
65  
100  
250  
■ Axial Type  
(Ta =25ºC)  
200  
300  
400  
600  
200  
600  
Absolute Maximum Ratings  
Tj Tstg  
(ºC)  
Electrical Characteristics  
Fig.  
No.  
5.0  
70  
1.30  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
trr1  
(ns)  
trr2  
(ns)  
35  
Type No.  
VRM IF(AV) IFSM  
-G14S  
50  
100  
–40 to +150  
(V)  
(A)  
(A)  
-G16S  
50  
150  
100  
65  
1.50  
0.98  
1.70  
max max max max  
1.20  
-G22S  
500  
100  
100  
200  
40  
65  
30  
40  
AG01Y  
01Z  
70  
200  
400  
600  
70  
1.0  
0.7  
25  
10.0  
5.0  
-G26S  
–40 to +150  
–40 to +150  
–40 to +150  
100  
100  
100  
100  
50  
50  
50  
2
3
01  
15  
1.80  
FMX-G12S  
-G22S  
200  
–40 to +150 0.98  
30  
25  
0.5  
1.0  
01A  
10.0 150  
EG01Y  
01Z  
30  
15  
1.20  
1.90  
100  
50  
200  
400  
600  
1000  
70  
0.7  
■ Center-tap Type  
(Ta =25ºC)  
Electrical Characteristics  
01  
2.00  
Absolute Maximum Ratings  
Tj Tstg  
(ºC)  
01A  
100  
50  
0.5  
1.1  
0.8  
10  
30  
15  
01C  
3.30  
1.20  
1.70  
1.80  
2.00  
3.30  
1.10  
1.80  
2.00  
1.10  
1.50  
1.80  
2.00  
1.30  
1.70  
Fig.  
No.  
VF  
(V)  
IR  
trr1  
trr2  
(ns)  
Type No.  
VRM IF(AV) IFSM  
(mA) (ns)  
EG 1Y  
1Z  
100  
(V)  
(A)  
(A)  
max. per max. per  
chip  
max max  
200  
400  
600  
1000  
70  
chip  
50  
4
5
6
1
FMG-12S,R  
-13S,R  
-14S,R  
FMG-22S,R  
-23S,R  
-24S,R  
-26S,R  
FMG-32S,R  
-33S,R  
-34S,R  
-36S,R  
FMC-26U  
FML-12S  
-13S  
200  
300  
400  
200  
300  
400  
600  
200  
300  
5.0  
35  
1.80  
1A  
0.6  
0.7  
1.5  
1.2  
1.0  
1.5  
10  
10  
100  
20  
0.50 100  
50  
50  
9
9
–40 to +150  
RG 1C  
RG 10Y  
10  
100  
100  
50  
50  
2.00  
1.80  
–40 to +150  
–40 to +150  
400  
600  
70  
50  
50  
10.0  
65  
50  
10A  
0.50 100  
–40 to +150  
8.0  
6.0  
2.00  
2.20  
RG 2Y  
2Z  
200  
400  
600  
70  
1.2  
1.0  
50  
50  
100  
100  
50  
50  
2
20.0 150  
1.80  
2A  
1.00 100  
50  
10  
–40 to +150  
RG 4Y  
4Z  
3.5 100  
400 16.0  
600 15.0  
100  
80  
2.00  
2.20  
2.00  
100  
50  
200  
400  
600  
1000  
80  
3.0  
2.0  
4
–40 to +150 1.80  
8
600  
200  
300  
400  
200  
300  
400  
200  
300  
400  
600  
50  
6.0  
–40 to +150  
–40 to +150  
0.50  
70  
40  
35  
30  
9
9
4A  
2.00  
3.00  
50  
60  
50  
60  
70  
80  
0.98 0.15  
35  
4C  
5.0  
1.0  
1.5  
2.0  
3.0  
10  
20  
EN01Z  
RN 1Z  
RN 2Z  
RN 3Z  
RN 4Z  
AP 01C  
EP 01C  
RP 1H  
RU 1P  
AL01Z  
EL 1Z  
3
5
6
7
8
2
3
1.30 0.05  
50  
40  
50  
40  
50  
65  
35  
30  
35  
30  
35  
35  
40  
65  
-14S  
FML-22S  
-23S  
0.98 0.25  
1.30 0.10  
0.98 0.60  
1.30 0.20  
200  
–40 to +150 0.92  
100  
50  
10.0  
20.0  
–40 to +150  
–40 to +150  
9
50  
70  
-24S  
3.5 120  
100  
5
150  
FML-32S  
-33S  
1000  
0.2  
5
4.00  
200  
100  
50  
80  
50  
–40 to +150  
7.00  
10  
2000  
1000  
0.1  
20  
5
-34S  
100  
5
0.4  
1.0  
10  
25  
20  
4.00  
0.98  
1.30  
1.70  
0.10  
0.05  
0.10  
0.15  
0.20  
-36S  
2
4
200  
400  
FMX-12S  
-22S  
5.0  
10.0  
15.0  
20.0  
35  
65  
100  
9
1.5  
2.0  
EL  
1
200  
30  
25  
–40 to +150  
0.98  
25  
30  
-22SL  
100  
150  
40  
3
5
EL02Z  
RL 10Z  
RL 2Z  
2
50  
-32S  
10  
200  
0.98  
100  
10  
350  
600  
200  
350  
600  
200  
600  
200  
40  
30  
–40 to +150 1.30  
35  
6
7
■ Bridge Type  
(Ta =25ºC)  
Electrical Characteristics  
1.1  
3.5  
2A  
1.50  
50  
Absolute Maximum Ratings  
Tj Tstg  
(ºC)  
–40 to +150  
0.95  
RL 3Z  
3
50  
30  
80  
60  
80  
80  
Fig.  
No.  
VF  
(V)  
IR  
trr1  
trr2  
(ns)  
1.30  
100  
50  
Type No.  
VRM IF(AV) IFSM  
(mA) (ns)  
3A  
2.0  
3.5  
3.0  
3.0  
1.50  
0.95  
(V)  
(A)  
(A)  
max. per max. per  
chip chip  
max max  
RL 4Z  
4A  
150  
50  
8
7
RBA-402L  
RBV-602L  
200  
200  
4.0  
6.0  
80  
0.98 0.05  
1.00 0.25  
40  
50  
30  
35  
14  
15  
1.50  
100  
RX 3Z  
–40 to +150 0.98  
50  
25  
91  
1234567...9

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