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RH1AW

更新时间： 2023-01-15 00:00:00
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三垦 - SANKEN /
页数 文件大小 规格书
9页 172K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.6A, Silicon

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General-purpose Diodes  
Fast Recovery Rectifier Diodes  
■
Axial Type  
(Ta =25ºC)  
Electrical Characteristics  
(Ta =25ºC)  
Electrical Characteristics  
Absolute Maximum Ratings  
Tj Tstg  
(ºC)  
Absolute Maximum Ratings  
Tj Tstg  
(ºC)  
Fig.  
No.  
Fig.  
No.  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
trr1  
(µs)  
trr2  
(µs)  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
trr1  
(µs)  
trr2  
(µs)  
Type No.  
Type No.  
VRM IF(AV) IFSM  
VRM IF (AV) IFSM  
(V)  
(A)  
(A)  
(V)  
(A)  
(A)  
max max max max  
max max max max  
RC  
2
2000 0.20  
200  
20  
–40 to +150  
2.00  
10  
4.0  
1.30  
5
4
RU 2M  
2AM  
400  
600  
1.10  
20  
1.20  
0.4  
0.18  
EH 1Z  
1
–40 to +150  
–40 to +150  
–40 to +150  
10  
5
6
400  
600  
200  
400  
600  
800  
1000  
200  
400  
600  
200  
0.60  
0.06  
0.60  
30  
35  
20  
–40 to +150  
1.35  
10  
4.0  
1.30  
100 1.50  
30  
50  
0.95  
1.10  
0.2  
0.4  
0.08  
0.18  
2YX  
1A  
RU 20A  
600  
400  
600  
1.50  
RH 1Z  
1
RU  
3
1.50  
3A  
3B  
1.50  
20  
1A  
–40 to +150  
1.30  
1.50  
5
4.0  
1.30  
5
800 1.10  
0.4  
0.18  
10  
1B  
3C  
1000 1.50  
2.00  
1.10  
1C  
3M  
3AM  
3YX  
400  
1.50  
600  
AS 01Z  
01  
50  
100  
100  
200  
–40 to +150  
–40 to +150  
10  
10  
1.5  
1.5  
0.60  
0.60  
2
3
2.00  
3.50  
0.95  
0.89  
0.97  
0.2  
0.2  
0.08  
0.08  
100  
80  
01A  
ES 01Z  
01  
RU 30Y  
30Z  
30  
10  
10  
3
400 0.70  
600  
30  
20  
30  
2.50  
2.00  
2.50  
400 2.00  
600  
0.4  
0.18  
0.95  
1.30  
1.50  
1.60  
200  
70  
01A  
01F  
ES 1Z  
1
30A  
RU 4Y  
4Z  
1500  
200  
0.50  
100  
3.50  
200  
400 0.70  
600  
400  
4
–40 to +150  
10  
1.5  
0.60  
4
5
1A  
4A  
600 3.00  
800  
0.4  
0.2  
0.18  
0.08  
50  
70  
8
1500  
0.50  
20  
30  
2.00  
2.50  
1F  
4B  
–40 to +150  
600  
800  
200  
400  
600  
200  
1000  
RS 1A  
1B  
4C  
2.50  
50  
10  
0.70  
–40 to +150  
–40 to +150  
10  
10  
1.5  
0.4  
0.60  
0.18  
4M  
400  
600  
100  
3.50  
1.30  
0.85  
AU01Z  
01  
4AM  
4YX  
0.50  
15  
25  
1.70  
1.30  
4.00 100  
01A  
AU02Z  
02  
●trr1=IF /IRP =1:1, trr2=IF/ IRP =1:2  
2
5
400 0.80  
600  
–40 to +150  
–40 to +150  
10  
10  
0.4  
0.4  
0.18  
0.18  
02A  
RU 1  
1A  
Single-chip Frame Type  
■
(Ta =25ºC)  
Electrical Characteristics  
400  
Absolute Maximum Ratings  
600  
800  
0.25  
0.20  
2.50  
3.00  
2.50  
Fig.  
No.  
15  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
trr1  
(µs)  
trr2  
(µs)  
Type No.  
Tj  
Tstg  
(ºC)  
1B  
VRM IF (AV) IFSM  
(V)  
(A)  
(A)  
1000  
200  
1C  
max max max max  
EU01Z  
01  
100  
600  
10.0 100  
1.00  
1.25  
1.35  
0.2  
0.08  
FMU-G2YXS  
-G16S  
400 0.25  
600  
15  
15  
–40 to +150  
–40 to +150  
10  
10  
0.4  
0.4  
0.18  
0.18  
3
4
5.0  
30  
40  
–40 to +150  
50  
11  
0.4  
0.18  
01A  
EU 1Z  
1
-G26S  
600 10.0  
200  
●trr1=IF /IRP =1:1, trr2=IF/ IRP =1:2  
400 0.25  
600  
2.50  
2.00  
1A  
200  
RF 1Z  
1
Center-tap Type  
■
(Ta =25ºC)  
Electrical Characteristics  
400  
0.60  
600  
Absolute Maximum Ratings  
15  
–40 to +150  
10  
10  
0.4  
0.18  
1A  
Fig.  
No.  
VF  
(V)  
IR  
(µs)  
trr1  
(µs)  
trr2  
(µs)  
Type No.  
Tj Tstg  
VRM IF (AV) IFSM  
(V)  
800  
200  
1B  
(A)  
(A)  
5
3
max. per  
chip  
max max max  
(ºC)  
RU 2Z  
2
600  
800  
1.00  
FMU-12S,R  
-14S,R  
200  
400  
600  
100  
200  
400  
600  
200  
400  
600  
20  
15  
–40 to +150  
–40 to +150  
1.50  
1.40  
0.4  
0.4  
0.18  
0.18  
2B  
5.0  
30  
–40 to +150  
–40 to +150  
–40 to +150  
1.5  
1.5  
1.5  
50  
50  
50  
0.4  
0.4  
0.4  
0.18  
0.18  
9
9
1000 0.80  
200  
-16S,R  
2C  
EU02Z  
02  
FMU-21S,R  
-22S,R  
1.00  
10  
10  
400  
600  
200  
400  
600  
100  
10.0  
20.0  
40  
80  
02A  
EU 2Z  
2
-24S,R  
-26S,R  
1.00  
1.20  
15  
25  
1.40  
0.90  
0.4  
0.2  
0.18  
0.08  
4
FMU-32S,R  
-34S,R  
–40 to +150  
0.18 10  
2A  
2YX  
●
-36S,R  
●trr1=IF /IRP =1:1, trr2=IF/ IRP =1:2  
●trr1=IF /IRP =1:1, trr2=IF/ IRP =1:2  
90  
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