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RGR3B60KD2TRPBF

更新时间: 2024-01-26 03:17:30
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英飞凌 - INFINEON 电动机控制晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 309K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3

RGR3B60KD2TRPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.67最大集电极电流 (IC):7.8 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码:TO-252AAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:MOTOR CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):211 ns标称接通时间 (ton):35 ns
Base Number Matches:1

RGR3B60KD2TRPBF 数据手册

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IRGR3B60KD2PbF  
L
L
VCC  
80 V  
+
-
DUT  
DUT  
480V  
0
Rg  
1K  
Fig.C.T.2 - RBSOA Circuit  
Fig.C.T.1 - Gate Charge Circuit (turn-off)  
diode clamp /  
DUT  
L
Driver  
- 5V  
DC  
360V  
DUT /  
DRIVER  
VCC  
DUT  
Rg  
Fig.C.T.3 - S.C.SOA Circuit  
Fig.C.T.4 - Switching Loss Circuit  
V
CC  
R =  
I
CM  
DUT  
VCC  
Rg  
Fig.C.T.5 - Resistive Load Circuit  
10  
www.irf.com  

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