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RGP10MT50A

更新时间： 2024-02-10 04:09:26

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	46K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN

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技术参数
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RGP10MT50A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	D4, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.32
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	3 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1000 V
最大反向恢复时间：	0.5 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

RGP10MT50A 数据手册

RGP10A - RGP10M

Features

• 1.0 ampere operation at T_A= 55°C

with no thermal runaway.

• High temperature metallurgically

bonded construction.

• Glass passivated cavity-free junction.

• Typical I_Rless than 1µA.

DO-41

COLOR BAND DENOTES CATHODE

• Fast switching for high efficiency.

Fast Rectifiers (Glass Passivated)

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

10A 10B 10D 10G 10J

10K

10M

V_RRM

I_F(AV)

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current,

100 200 400 600

800 1000

1.0

.375 " lead length @ T = 55 C

I_FSM

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

8.3 ms Single Half-Sine-Wave

Storage Temperature Range

-65 to +175

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

3.0

R_θJA

°C/W

Electrical Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Device

Units

10A 10B 10D 10G 10J

10K

10M

V_F

t_rr

Forward Voltage @ 1.0 A

1.3

Reverse Recovery Time

150

250

500

I_F= 0.5 A, I_R= 1.0 A, I_rr= 0.25 A

I_R

5.0

200

µA

Reverse Current @ rated V_RT_A= 25°C

T_A= 150°C

C_T

Total Capacitance

V_R= 4.0 V, f = 1.0 MHz

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

RPG10A - RPG10M, Rev. C

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与RGP10MT50A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RGP10MT50R	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN
RGP10M-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
RGP10MTR	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
RGP10Q	TAITRON	获取价格	1.0A Sintered Glass Passivated Fast Recovery Rectifier
RGP10V	TAITRON	获取价格	Rectifier Diode,
RGP10Y	TAITRON	获取价格	Rectifier Diode,
RGP110	DEC	获取价格	1 AMP HIGH RELIABILITY FAST RECOVERY DIODES
RGP1120	DEC	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY DIODES
RGP1150	DEC	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY DIODES
RGP1180	DEC	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY DIODES