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RGF1D

更新时间： 2024-02-14 19:19:46

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安森美 - ONSEMI		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	144K
描述
1.0A快速恢复整流器

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RGF1D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-214
包装说明：	SMA, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.31
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	1.76 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.15 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30

RGF1D 数据手册

RGF1A − RGF1M

TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS

1.25

0.75

0.5

0.25

RESISTIVE OR

INDUCTIVE LOAD

P.C.B. MOUNTED

ON 0.2 x 0.2"

(5.0 x 5.0 mm)

COPPER PAD AREAS

100

125

150

175

Number of Cycles at 60 Hz

Ambient Temperature [°C]

Figure 1. Forward Current Derating Curve

Figure 2. Non−Repetitive Surge Current

= 150°C

= 100°C

= 125°C

0.1

= 25°C

0.1

0.01

Pulse Width = 300 ms

2% Duty Cycle

= 25°C

0.01

100

120

140

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

Forward Voltage, V [V]

Percent of Rated Peak Reverse Voltage [%]

Figure 3. Forward Voltage Characteristics

Figure 4. Reverse Current vs. Reverse Voltage

100

Reverse Voltage, V [V]

Figure 5. Total Capacitance

www.onsemi.com

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与RGF1D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RGF1D/17	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN	获取价格
RGF1D/17-HE3	VISHAY	DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode	获取价格
RGF1D/19-HE3	VISHAY	DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal Diode	获取价格
RGF1D-E3	VISHAY	DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA, LEAD FREE, PLASTIC, GF1, 2 PIN, Signal	获取价格
RGF1D-E3/5CA	VISHAY	1A,200V,150NS,FS. SUPERECT,SMD	获取价格
RGF1D-E3/67A	VISHAY	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA	获取价格