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RGF1D

更新时间： 2024-02-16 01:16:05
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安森美 - ONSEMI 光电二极管
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5页 144K
描述
1.0A快速恢复整流器

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RGF1D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-214
包装说明：SMA, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.31
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.3 V
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：1.76 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.15 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30

RGF1D 数据手册

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RGF1A − RGF1M  
SPECIFICATIONS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Value  
RGF1A RGF1B RGF1D RGF1G RGF1J RGF1K RGF1M  
Symbol  
Parameter  
Unit  
V
V
RRM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
50  
100  
200  
400  
1.0  
600  
800  
1000  
I
Average Rectified Forward Current at  
A
F(AV)  
T = 125°C  
L
I
Non−Repetitive Peak Forward Surge  
Current: 8.3 ms Single Half−Sine Wave  
30  
A
FSM  
T
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
−65 to +175  
−65 to +175  
°C  
°C  
J
T
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality  
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
1.76  
85  
Unit  
W
P
D
Power Dissipation  
R
Junction−to−Ambient Thermal Resistance (Note 1)  
Junction−to−Lead Thermal Resistance (Note 1)  
°C/W  
°C/W  
q
JA  
R
28  
q
JL  
1. Device mounted on FR−4 PCB 0.013 mm.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Value  
RGF1A RGF1B RGF1D RGF1G RGF1J RGF1K RGF1M  
Symbol  
Parameter  
Forward Voltage  
Conditions  
I = 1.0 A  
Unit  
V
F
1.3  
V
F
t
rr  
Reverse Recovery Time  
I = 0.5 A,  
150  
250  
500  
ns  
F
I
R
= 1.0 A,  
= 0.25 A  
I
RR  
I
Reverse Current at Rated  
T = 25°C  
5.0  
100  
8.5  
mA  
R
A
V
R
T = 125°C  
A
C
Total Capacitance  
V
R
= 4.0 V,  
pF  
T
f = 1.0 MHz  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
www.onsemi.com  
2
 
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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