RD9.1UMB2

更新时间： 2024-02-06 15:32:50

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日电电子 - NEC		测试光电二极管齐纳二极管
页数	文件大小	规格书
8页	63K
描述
Zener Diode, 9.1V V(Z), 2.49%, 0.15W, Silicon, Unidirectional, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-2

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RD9.1UMB2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.48
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	30 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	9.1 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	2.49%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

RD9.1UMB2 数据手册

DATA SHEET

ZENER DIODES

RD2.0UM to RD39UM

ZENER DIODES

2PIN ULTRA SUPER MINI MOLD

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

Type RD2.0UM to RD39UM Series are 2-pin

Ultra Super Mini Mold Package zener diodes

possessing an allowable power dissipation of 150

mW.

(Unit: mm)

2.1±0.1

1.3±0.1

FEATURES

• Sharp Breakdown characteristics

• V^Z; Applied E24 standard

Cathode

Indication

APPLICATIONS

Circuits for Constant Voltage, Constant Current,

Waveform clipper, Surge absorber, etc.

MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

Power Dissipation

150 mW

100 mA

Forward Current

I^F

Reverse Surge Power

Junction Temperature

Storage Temperature

P^RSM

T^j

85 W (at t = 10 µs/1 pulse) See Fig. 6.

150 °C

T^stg

–55 to +155 °C

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Document No. D13562EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. DC-2136)

Date Published March 1999 N CP(K)

Printed in Japan

1993

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RD9.1UMB2-T1	NEC	Zener Diode, 9.1V V(Z), 2.49%, 0.15W, Silicon, Unidirectional, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAG	获取价格
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RD9.1UMB3-T2	NEC	9.1V, 0.15W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE	获取价格
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RD9.1UMB-T2	NEC	Zener Diode, 9.1V V(Z), 5.8%, 0.15W, Silicon, Unidirectional, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE	获取价格