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RD4.3FB1

更新时间： 2024-02-22 07:13:35

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日电电子 - NEC		测试二极管
页数	文件大小	规格书
8页	64K
描述
Zener Diode, 4.16V V(Z), 3%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41

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RD4.3FB1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.68
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	15 Ω	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	4.16 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	3%	工作测试电流：	40 mA

RD4.3FB1 数据手册

DATA SHEET

ZENER DIODES

RD2.0F to RD82F

ZENER DIODES

1 W DO-41 GLASS SEALED PACKAGE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

NEC type RD F Series are DHD (Double Heatsink Diode)

Construction planar type zener diodes possessing an allowable

power dissipation of 1 watt.

(Unit: mm)

0.8

FEATURES

•

DHD (Double Heatsink Diode) Construction

Planar process

Cathode

indication

V^Z: Applied E24 standard

DO-41 Glass sealed package

3.0 MAX.

APPLICATIONS

Circuits for,

Constant Voltage, Constant Current,

Wave form clipper, Surge absorber, etc.

MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Power Dissipation (P)

1 W (See Fig. 1)

Forward Current (I^F)

200 mA

Junction Temperature (T^j)

Storage Temperature (T^stg)

Peak Reverse Power (P^RSM)

175°C

−65 to +175°C

See Fig. 9

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Document No. D13936EJ3V0DS00 (3rd edition)

(Previous No. SC-1007A)

Date Published June 2000 N CP(K)

Printed in Japan

1982

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