RD16E

更新时间： 2024-01-10 00:55:52

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EIC		稳压二极管
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4页	49K
描述
SILICON ZENER DIODES

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RD16E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.49
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	40 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	16 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5.64%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

RD16E 数据手册

SILICON ZENER DIODES

DO - 35

RD2.0E ~ RD39E

V_Z: 2.0 - 39 Volts

P_D: 500 mW

1.00 (25.4)

0.079(2.0 )max.

min.

FEATURES :

0.150 (3.8)

max.

* Complete 2.0 to 39 Volts

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

1.00 (25.4)

min.

0.020 (0.52)max.

* Low leakage current

* Pb / RoHS Free

MECHANICAL DATA

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

P_D

Power Dissipation

500

I_F

T_j

Forward Current

200

°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 175

T_s

°C

Derating Curve

700

600

500

400

300

200

100

100 125 150 175 200

Ambient Temperture , Ta (°C)

Page 1 of 4

Rev. 02 : March 25, 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RD16EAB	NEC	获取价格	400 mW DHD ZENER DIODE DO-34
RD16EAB1	NEC	获取价格	400 mW DHD ZENER DIODE DO-34
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RD16EAB3	NEC	获取价格	400 mW DHD ZENER DIODE DO-34
RD16EAB4	NEC	获取价格	400 mW DHD ZENER DIODE DO-34
RD16EB	SEMTECH	获取价格	ZENER DIODES
RD16EB	RENESAS	获取价格	16V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS, DHD, 2 PIN
RD16EB	EIC	获取价格	Zener Diode,
RD16EB	NEC	获取价格	500 mW DHD ZENER DIODE DO-35
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