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RD16EB1

更新时间： 2024-01-22 02:53:54

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日电电子 - NEC		稳压二极管
页数	文件大小	规格书
12页	96K
描述
500 mW DHD ZENER DIODE DO-35

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RD16EB1 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	18 Ω
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	0.5 W	标称参考电压：	15.19 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
最大电压容差：	2.1%	工作测试电流：	10 mA
Base Number Matches：	1

RD16EB1 数据手册

DATA SHEET

ZENER DIODES

RD2.0E to RD200E

500 mW DHD ZENER DIODE

(DO-35)

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the

popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction

having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application

at customers, V^z(zener voltage) is classified into the tight tolerance under

the specific suffix (B, B1 to B7).

(in millimeters)

0.5

FEATURES

Cathode

indication

•

DHD (Double Heatsink Diode) Construction

Vz: Applied E24 standard (RD130E to RD200E: 10 volts step)

DO-35 Glass sealed package

2.0 MAX.

ORDER INFORMATION

RD2.0 E to RD39E with suffix “B1”, “B2”, “B3”, “B4”, “B5”, “B6” or “B7”

should be applied for orders for suffix “B”.

APPLICATIONS

Circuits for Constant Voltage, Constant Current, Waveform Clipper, Surge absorber, etc.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Forward Current

200 mA

500 mW

Power Dissipation

Surge Reverse Power

Junction Temperature

Storage Temperature

PRSM

T^j

100 W (t = 10 µs)

175 ˚C

to see Fig. 17

Tstg

–65 to +175 ˚C

Document No. D10213EJ5V0DS00 (5th edition)

Date Published December 1998 N CP(K)

Printed in Japan

1981

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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