RB496EA

更新时间： 2024-09-30 03:37:55

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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描述
Schottky barrier diode

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RB496EA 数据手册

RB496EA

Diodes

Schottky barrier diode

RB496EA

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

Low current rectification

0.8

2.9±0.1

＋0.1

0.4_ꢀ－0.05各リードとも同寸法

0.16±0.1

0.06

Each lead has same dimension

zFeatures

1) Small mold type (TSMD5)

(5)

(4)

0.350.45

0.95

0.450.35

0.95

0.7

2) Low I

0～0.1

3) High reliability

1.9

0.33±0.03

(1)

(2)

0.95

(3)

TSMD5

0.7±0.1

0.95

1.9±0.2

0.85±0.1

zStructure

1.0Max

Silicon epitaxial planer

ROHM : TSMD5

dot (year week factory) + day

zTaping dimensions (Unit : mm)

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3±0.1

φ1.1±0.1

4.0±0.1

3.2±0.08

1.1±0.08

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage

Limits

Symbol

V_R

Unit

Average rectified forward current (*1)

I_FSM

Forward current surge peak (60Hz・1cyc) (*1)

Junction temperature

Storage temperature

125

-40 to +125

℃

Tstg

(*1) Rating of per diode

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Conditions

I_F=0.5A

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

0.35

0.40

500

Unit

V_F2

I_F=1A

I_R

V_R=10V

µA

Rev.A

1/3

12 3 4

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