5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 标称电路换相断开时间： | 15 µs | 关态电压最小值的临界上升速率： | 20 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 300 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 1000 mA | 最大漏电流： | 70 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 9400 A | 最大通态电压： | 1.96 V |
| 最大通态电流： | 1135000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R220CH08CLO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1505.63A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
|
| R220CH08DH0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),1.135KA I(T),TO-200 |
|
| R220CH08DH3 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 800 V, SCR, TO-200AC |
|
| R220CH08DH6 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 800 V, SCR, TO-200AC |
|
| R220CH08DH7 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 800 V, SCR, TO-200AC |
|
| R220CH08DH8 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 800V V(DRM), 640V V(RRM), 1 Element, TO-200AC |
|
| R220CH08DH9 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 800 V, SCR, TO-200AC |
|
| R220CH08DHO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 800 V, SCR, TO-200AC |
|
| R220CH08DJ0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),1.135KA I(T),TO-200 |
|
| R220CH08DJ3 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 800 V, SCR, TO-200AC |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
