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R1200

更新时间： 2024-01-28 20:47:09

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描述
HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER

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R1200 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	1200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

R1200 数据手册

R1200 THRU R2000

HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER

Reverse Voltage -

Forward Current -

1200 to 2000 Volts

0.2 to 0.5 Ampere

Features

Low cost

Low leakage

Low forward voltage drop

High current capability

Mechanical Data

DIMENSIONS

Case: Molded plastic

inches

Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant

Lead: MIL-STD-202 method 208C guaranteed

Mounting Position: Any

DIM

Note

Min.

Max.

0.205

0.106

0.034

Min.

4.2

Max.

5.2

2.7

0.86

0.165

0.079

0.028

1.000

2.0

Weight: 0.012 ounce, 0.335 gram

0.71

25.40

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Symbols

R1200

R1500

R1800

R2000

Units

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

1200

840

1500

1050

1500

1800

1260

1800

2000

1400

2000

Volts

Maximum DC blocking voltage

1200

Maximum average forward rectified current

0.375" (9.5mm) lead length at T_A=50

I_(AV)

500

200

mAmps

Amps

Peak forward surge current

8.3mS single half sine-wave superimposed

on rated load (MIL-STD-750D 4066 method)

I_FSM

30.0

Maximum instantaneous forward voltage at 0.5/0.2A DC

V_F

2.0

3.0

Volts

Maximum full load reverse current average, full cycle

0.375" (9.5mm) lead length at T_L=75

I_R(AV)

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

T =25

5.0

T_A^A=100

50.0

I_R

C_J

Typical junction capacitance (Note 1)

30.0

Operating and storage temperature range

T_J, T_STG

-65 to +175

Note:

(1) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts

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