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R0809LS10D

更新时间： 2024-01-15 17:11:52
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 259K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1691A I(T)RMS, 1260000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, 101A336, 3 PIN

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R0809LS10D 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
标称电路换相断开时间：20 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：300 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：1000 mA
JESD-30 代码：O-CXDB-X3最大漏电流：70 mA
通态非重复峰值电流：8000 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：1260000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1691 A断态重复峰值电压：1000 V
重复峰值反向电压：1000 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

R0809LS10D 数据手册

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WESTCODE Positive development in power electronics  
R0809LS10x  
Characteristics  
PARAMETER  
MIN.  
TYP. MAX. TEST CONDITIONS  
UNITS  
(Note 1)  
VTM  
V0  
Maximum peak on-state voltage  
Threshold voltage  
-
-
2.52 ITM=1400A  
V
V
-
-
2.1  
0.3  
rS  
Slope resistance  
-
-
Ω
m
dv/dt  
IDRM  
IRRM  
VGT  
IGT  
IH  
Critical rate of rise of off-state voltage  
Peak off-state current  
Peak reverse current  
Gate trigger voltage  
200  
-
-
VD=80% VDRM  
Rated VDRM  
Rated VRRM  
Tj=25°C  
µ
V/ s  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
70  
70  
3.0  
mA  
mA  
V
-
-
Gate trigger current  
-
300 Tj=25°C  
1000 Tj=25°C  
1.0  
VD=10V, IT=3A  
mA  
mA  
Holding current  
-
tgd  
Gate controlled turn-on delay time  
Turn-on time  
0.5  
VD=67% VDRM, ITM=1500A, di/dt=60A/µs,  
µs  
I
FG=2A, tr=0.5µs, Tj=25°C  
tgt  
0.9  
2.0  
140  
60  
Qrr  
Qra  
Irm  
Recovered charge  
-
-
-
-
µC  
µC  
A
Recovered charge, 50% Chord  
Reverse recovery current  
Reverse recovery time  
I
TM=1000A, tp=1000µs, di/dt=60A/µs,  
Vr=50V  
80  
trr  
2.0  
µs  
ITM=1000A, tp=1000µs, di/dt=60A/µs,  
Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/µs  
ITM=1000A, tp=1000µs, di/dt=60A/µs,  
Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=200V/µs  
-
-
-
15  
20  
tq  
Turn-off time (note 2)  
µs  
12  
-
-
-
0.032 Double side cooled  
K/W  
K/W  
kN  
Rth(j-hs) Thermal resistance, junction to heatsink  
-
-
0.064 Single side cooled  
F
Mounting force  
Weight  
10  
-
20  
-
Wt  
340  
g
Notes:-  
1) Unless otherwise indicated Tj=125°C.  
2) The required tq (specified with dVdr/dt=200V/µs) is represented by an ‘x’ in the device part number. See ordering information  
for details of tq codes.  
Data Sheet. Type R0809LS10x Issue 1  
Page 2 of 12  
March, 2001  
1234567...12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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