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R0809LS10D

更新时间： 2024-01-04 00:11:42

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
12页	259K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1691A I(T)RMS, 1260000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, 101A336, 3 PIN

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R0809LS10D 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.84
标称电路换相断开时间：	20 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	300 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	1000 mA
JESD-30 代码：	O-CXDB-X3	最大漏电流：	70 mA
通态非重复峰值电流：	8000 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	1260000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1691 A	断态重复峰值电压：	1000 V
重复峰值反向电压：	1000 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

R0809LS10D 数据手册

WESTCODE ^{Positive development in power electronics}

R0809LS10x

Curves

Figure 1 - On-state characteristics of Limit device

Figure 2 - Transient thermal impedance

10000

0.1

SSC 0.064K/W

T_j= 125°C

DSC 0.032K/W

0.01

1000

0.001

0.0001

R0809LS10x

Issue 1

R0809LS10x

Issue 1

100

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

Instantaneous on-state voltage - V_T(V)

Time (s)

Figure 3 - Gate characteristics - Trigger limits

Figure 4 - Gate characteristics - Power curves

R0809LS10x

Issue 1

T_j=25°C

Max V_Gdc

I_GT, V_GT

P_GMax 30W dc

Min V_Gdc

P_G2W dc

I_GD, V_GD

Min V_Gdc

0.25

0.5

0.75

Gate Trigger Current - I_GT(A)

Data Sheet. Type R0809LS10x Issue 1

Page 7 of 12

March, 2001

1...4 5 678 9 10...12

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与R0809LS10D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
R0830LC12C	LITTELFUSE	Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。这些器件的阻断电压最高可达4	获取价格
R0830LC12F	LITTELFUSE	Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。这些器件的阻断电压最高可达4	获取价格
R0830LC14F	LITTELFUSE	Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。这些器件的阻断电压最高可达4	获取价格
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R0830LS12G	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 1713A I(T)RMS, 1318000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1	获取价格
R0830LS14E	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 1713A I(T)RMS, 1318000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1	获取价格