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QV6016LH2TP

更新时间： 2023-12-06 20:12:39

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力特 - LITTELFUSE		开关电机
页数	文件大小	规格书
7页	530K
描述
QVxx16xHx系列具有高dv/dt功能，适用于交流开关和相位控制应用，特别是对交换性能要求较高的电感负载应用。特征和优势应用典型应用包括交流固态开关、电机控制、调光器、电动工具、厨房和家

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QV6016LH2TP 数据手册

Thyristors Datasheet

QVxx16xHx Series

16 A High Temperature Alternistor Triacs

Maximum Ratings — AlternistorTriac (3 Quadrants)

Symbol

Characteristic

Conditions

Value

Unit

QVxx16LHy

QVxx16RHy / QVxx16NHy

T_C= 105°C

T_C= 130°C

I_T(RMS)

Rms On-State Current (Full Sine Wave)

f = 50 Hz, t = 20 ms

167

200

Non-Repetitive Surge Peak On-State Current

(Full Cycle, T_jInitial = 25°C)

I_TSM

f = 60 Hz, t = 16.7 ms

t_p= 8.3 ms

I²t

di/dt

I_GTM

P_G(AV)

T_stg

I²t Value For Fusing

166

A²s

A/μs

Critical Rate-of-rise of On-State Current

Peak GateTrigger Current

f = 60 Hz, T_J= 150°C

t_p≤ 10 μs, I_GT≤ I_GTM,T_J= 150°C

T_J= 150°C

100

2.0

Average Gate Power Dissipation

StorageTemperature Range

0.5

-40 to 150

V_DSM/V_RSM+ 100

ºC

T_J

Operating JunctionTemperature Range

ºC

pulse width = 100 μs; 600 V

pulse width = 100 μs; 800 V

_DSM/V_RSM

Non Repetitive Surge Peak Off-State Voltage

V_DSM/V_RSM+ 200

xx = voltage/10; y = sensitivity

Thermal Characteristics

Symbol

Characteristic

Value

Unit

QVxx16RHy / QVxx16NHy

QVxx16LHy

0.90

2.4

R_θ(JC)

Thermal Resistance, Junction-To-Case (AC)

°C/W

QVxx16RHy / QVxx16NHy

QVxx16LHy

R_θ(JA)

Thermal Resistance, Junction-To-Ambient (AC)

Electrical Characteristics (T_J= 25°C, unless otherwise speciﬁed) — AlternistorTriac (3 Quadrants)

QVxx16xH2 QVxx16xH3

QVxx16xH4

QVxx16xH5

Symbol

Description

Conditions

Unit

Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max

I_GT

DC GateTrigger Current

DC GateTrigger Voltage

I – II – III

50 mA

V_D= 12 V, R_L= 60 Ω

V_GT

1.3

V_GD

I_H

Gate Non-trigger Voltage V_D= V_DRM,R_L= 3.3k Ω , T_J= 150°C I – II – III 0.15

0.15

350

0.15

500

0.15

750

Holding Current

I_T= 100mA

V_D= V_DRMGate Open, T_J= 150°C

60 mA

200

Critical Rate-of-rise of

Off-stage Voltage

dv/dt

V/μs

V_D= 2/3 V_DRMGate Open, T_J= 150°C

400

700

1000

Critical Rate-of-rise of

Commutation Voltage

(dv/dt)c

(di/dt)c = 8.6 A/ms, T_J= 150°C

V/μs

I_G= 2 x I_{G T,}P_W= 15 μs,

I_T= 22.6 A(pk)

t_gt

Turn-onTime

μs

III

(di/dt)c

Without snubber

T_J= 150°C

A/μs

xx = voltage/10;

x = sensitivity

Static Characteristics

Symbol

Description

Conditions

MaximumValue

Unit

V_TM

Peak On-state Voltage

I_T= 22.6 A, t_p= 380 μs

V_D= V_DRM/V_RRM, T_J= 25°C

V_D= V_DRM/V_RRM, T_J= 150°C

T_J= 150°C

1.60

μA

I_DRM/ I_RRM

Off-state Current, Peak Repetitive

V_T0

R_D

Threshold Voltage

0.85

18.5

Dynamic Resistance

T_J= 150°C

mΩ

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: TK.07/19/23

123 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
QV6016LH3TP	LITTELFUSE	QVxx16xHx系列具有高dv/dt功能，适用于交流开关和相位控制应用，特别是对交换性能	获取价格
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